二极管伏安特性曲线实验的改进 毕业论文

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1、二极管伏安特性曲线实验的改进中文摘要本文指出了电子技术实验教材中所给出的测量二极管正向特性曲线的伏安法和二极管特曲线之间所存在的问题，并提出了更合理的电路。用伏安法测量二极管的伏安特性曲线并进行讨论和分析。对二极管正向特性曲线，无论采用外接法还是内接法，都必须对测量数据加以修正，才能给出正确的实验结果。本文又对修已原因进行说明。关键词：二极管；伏安特性曲线；伏安法；内接法；外接法10目录中文摘要1引言11.二极管2二极管的主要参数32.1正向特性32.2反向特性42.3反向穿击特性42.4最大整流电流43.线路分析和公式修正44.试验结果及讨论5结语8参考文献9致谢1010引

2、言用伏安法测量个种元件的特性时，为减少误差，除合适的选择测量电表外，实际测量还要注意正确的选择合适的测量线路。通常有两种方法一种叫内接法另一种叫外接法。在测量线性元件的电阻时，根据估计的阻值大小，适当的选取某种方法，可得到精确的测量结果。但对非线性元件，如二极管，其直流电阻的大小与加在二极管两端电压的大小和方向都有关系。以型二极管为例，当加在它两端的正向电压从零加到左右时，其电流电阻阻值，可以从接近无穷大，逐渐变化到数十欧姆。对于这种阻值变化范围很大的元件，在测量其伏安特性曲线时，不论采用外接或内接，由于电流表内阻的影响，所得测量结果，均不可能在整个测量范围内都与实际值保持较

3、小的偏差。如果选择内阻较小的电压表和内阻较大的电流表，这一现象将更为明显。因此，为准确的测量结果，必须对测量数据加以修正。本文给出的修正公式，分别按电流表外接法和内接法测量型稳压二极管的正向特性曲线，计算得出了该二极管伏安特性曲线。结果显示，两种方法测量结果都有很大误差，修正后二者结果却基本一致，说明采用伏安法测量二极管的特性时，对测量结果必须加以修正，对此也给出了相应的理论解释。101.二极管二极管是电子技术中最常用的元件，其有性质为正向通电，反响不导通。结是二极管和其它元件的关键，它是型半导体和型半导体的相互集合而组成。晶体二极管也称半导体二极管，它是在结上加接触电极、引

4、线和管壳封装而成的。按其结构，通常有点接触型和面结型两类。常用符号如图中、（本资料用）来表示。所谓半导体是电性能介于导体和绝缘之间的物体。半导体理论证实在半导体中在两种导电的物体，一种是自由电子，另一种是带正电的空穴，它们在外电场的作用下都有定向移动的效应都能运载电荷形成电流，通常称为载流子。点接触型适用于工作电流小、工作频率高的场合；（如图）二极管的正向电流只零点几毫安，因此二极管的正向电阻很小，在正向特性曲线的原点正向电压很小，外电场不能克服结的内电场，所以可作正向电流为零。此时二极管表示最大的电阻，这种状态叫做载止状态。面结合型适用于工作电流较大、工作频率较低的场合；（

5、如图）平面型适用于工作电流大、功率大、工作频率低的场合。（如图）按使用的半导体材料分，有硅二极管和锗二极管；按用途分，有普通二极管、整流二极管、检波二极管、混频二极管、稳压二极管、开关二极管、光敏二极管、变容二极管、光电二极管等。二极管是由一个结构成的，它的主要特性就是单向导电性，通常主要用它的伏安特性来表示。二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与加于二极管两端的电压之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的曲线，称二极管的伏安特性曲线。图是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。10二极管的主要参数2.1正向特性由图可以看出，当所加的正向电

6、压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。当正向电压升高到一定值以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。被称为门限电压或阀电压。视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为左右，锗管为左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压的值，如图中虚线与轴的交点。当正向电压大于以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用来表示。通常，硅管的导通电压约为到

7、（一般取为）锗管的导通电压约为到（一般取为）。2.2反向特性反向电流指的是管子不穿击条件下的电流，数目越少的时二极管的通电功能越好。10当二极管两端外加反向电压时，结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流。反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的范围内），如图中所示。但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在数量级，锗管的反向电流在数量级。2.3反向穿击特性当反向电压增大到一定数值时，反向电流剧增，