电容器参数的基本公式.doc

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1、电容器参数的基本公式1、容量(法拉)     英制:C=(0.224×K·A)/TD     公制:C=(0.0884×K·A)/TD2、电容器中存储的能量     E=?CV23、电容器的线性充电量     I=C(dV/dt)4、电容的总阻抗(欧姆)     Z=√[RS2+(XC–XL)2]5、容性电抗(欧姆)     XC=1/(2πfC) 相位角Ф     理想电容器:超前当前电压90o     理想电感器:滞后当前电压90o     理想电阻器:与当前电压的相位相同7、耗散系数(%)     D.F.=tgδ(损耗角)     =ESR

2、/XC     =(2πfC)(ESR)8、品质因素     Q=cotanδ=1/DF9、等效串联电阻ESR(欧姆)     ESR=(DF)XC=DF/2πfC10、功率消耗     PowerLoss=(2πfCV2)(DF)11、功率因数     PF=sinδ(lossangle)–cosФ(相位角)12、均方根     rms=0.707×Vp13、千伏安KVA(千瓦)     KVA=2πfCV2×10-314、电容器的温度系数     T.C.=[(Ct–C25)/C25(Tt–25)]×10615、容量损耗(%)     CD=[

3、(C1–C2)/C1]×10016、陶瓷电容的可靠性     L0/Lt=(Vt/V0)X(Tt/T0)Y17、串联时的容值     n个电容串联:1/CT=1/C1+1/C2+….+1/Cn     两个电容串联:CT=C1·C2/(C1+C2)18、并联时的容值     CT=C1+C2+….+Cn19、重复次数(AgaingRate)     A.R.=%ΔC/decadeoftime上述公式中的符号说明如下:K=介电常数A=面积TD=绝缘层厚度V=电压t=时间RS=串联电阻f=频率L=电感感性系数δ=损耗角Ф=相位角L0=使用寿命Lt=试验

4、寿命Vt=测试电压V0=工作电压Tt=测试温度T0=工作温度X,Y=电压与温度的效应指数。电容的等效串联电阻ESR普遍的观点是:一个等效串联电阻(ESR)很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值(纹波)电流。但是,有时这样的选择容易引起稳压器(特别是线性稳压器LDO)的不稳定,所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住,稳压器就是一个放大器,放大器可能出现的各种情况它都会出现。由于DC/DC转换器的响应速度相对较慢,输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用,因此需要额外大容量的电容来减缓相对于DC/DC转换器的快速转换,

5、同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。通常,大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值,以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的Dasheet规定之内。高频转换中,小容量电容在0.01μF到0.1μF量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容(MLCC)具有更小的ESR。另外,在这些容值下,它们的体积和BOM成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分,则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒,时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。用ESR大的电容并联比用ESR恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而

6、,这需要你在PCB面积、器件数目与成本之间寻求折衷。电容器的选择及分类通常,应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢?应基于以下几点考虑:1、静电容量;2、额定耐压;3、容值误差;4、直流偏压下的电容变化量;5、电容的类型;6、电容的规格。那么,是否有捷径可寻呢?其实,电容作为器件的外围元件,几乎每个器件的Datasheet或者Solutions,都比较明确地指明了外围元件的选择参数,也就是说,据此可以获得基本的器件选择要求,然后再进一步完善细化之。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装,具体要看产品所使用环境,特殊的电路必须用特殊的电容。下面是ch

7、ipcapacitor根据电介质的介电常数分类,介电常数直接影响电路的稳定性。NP0orCH(K<150):         电气性能最稳定,基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变,适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于K值较小,所以在0402、0603、0805封装下很难有大容量的电容。如0603一般最大的10nF以下。X7RorYB(200015000):

8、         容量稳定性较X7R差(ΔC<+20%~-80%),容量﹑损耗对温度、电压等测试条件较敏感,但由于其K值较

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