3、/口监二冬一一J醉}一一一一一一一L一」..一一礴了一-------------`一J州卜一福一:.:2R3产端卜/NITM一川1tZi;t`厂区卜}一今lINV碱(b)主动箱位等效电路图10升压型主动籍位电路的分析(a)升压型主动箱位电路,,,,图or(a)是升压型主动籍位的RDCIL等效电路LC和。,。:。C二T组成谐振电路c和T组成籍位电路由于逆变输出有电一长,,INV感与电容串联的滤波电路在直流环节一个谐振周期电感中的,、。+电流几乎不变故逆变器可用电流源I等效该电路的一个谐`,。。。贡
4、争振周期有4个工作模式见图10(b)模式M为T导通模,,,,,t式持续时间在此段时间内谐振电感电流线性增长增长〕(}降)压型主动籍位电路、._、···、,。diV一一一一_二。.,。,=l,。兰=t末T关断电感电流11I+I了图9主动籍位的谐振直流环节率为共{“`,’’为设’/J一护.一’一。/、”““’一`x`,I`dtL州”目~目一”201年第or期电源世界逆变电源不间断电源味协如舜纬命砂彗踌奋两。。。,rr,。c,,=置的门限电流LCT自零增长T在tt:t4l关断后谐振压的上升时间和下降时间
5、(见图0(b))应大于晶体管的Z。cr二S,l。r,r,Zf,4rot时Kv此后谐振电感电流几下降时间t和上升时间t取t)3tt〕3t模式M结束在电压。一s,r二、,,v=KvI(l)作用下线性下降当红时通过二极管谐振直流环节的引人为GTR逆变器提高开关频率创造了。,。:,:,D的电流降为零T的电流开始增长表示贮能电容从吸收谐条件与此同时谐振频率又受到器件特性的制约通常单管,。:t、一7拜s。t:-振回路的能量转为向负载放电在通过T的电流等于环刚GTR的存贮时间在3若取模式M的时间在8,s。,。,
6、:,一拌通电时的电流时C充放电达到平衡T此时应关断’29娜则一个谐振周期在5060之间谐振周期太短会使脉模式M。,3,r二对于达林顿晶体管模块由于存贮结束进人模式MC上电荷被逆变器负载电流I和谐振电感冲直流电压的平均值过低s,。tr,。cr。。,。时间更长谐振频率则更低一些电流红抽走再次下降到零开通T进人下一个循环。,。:-TTTa。:cr,如果专门设置谐振控制管且和采用功率MOS图11()是电路的仿真波形上面曲线为仿真时电源,-.FETGTR逆s,二,,则变器的直流环节谐振频率可提高到70电压v
7、=vDcK18vDc50籍位系数箱位电压为90谐振z。。,kHT.不仅可以将晶体管桥的短路控制时间节约出来而,z,:cr二。80周期126娜频率为793kH0持续时间4娜下部曲线,,,、,。且可将逆变桥的GTR切换时间提前以补偿存贮时间和驱动电为电感电流几由于负载电流i尹0故横坐标在曲线的下部。。,路的延时晶体管可以在T短路时间的前部转换状态实现。r图11L=(b)是主动籍位电路的实验波形仿真与试验参数为。理想零电压开关特性..,:r=,r,。,30拜H尺02。c=00925拌FC=10拌F逆变桥
8、输出等效,,表2是IkVA单相RDCLI的仿真数据电源电压ZOOVDC,。滤波电感lmHR二orn等效负载电阻115vAe,z。Lr二,:r=输出电压400H谐振环节参数30拜H尺..,「。:,二,02nC=005拌F逆变器输出滤波电感与电容LlmH92.:,,,,、,二,尺二0Ine=15拌Fc=10拌F`一8籍位电容箱位系数T=。门限电流I10A表2IkVARDCLI的部分仿真结果习éù侧￡匕印汀卜Fù荞此序号l234567.、rs负载电流/A(m)14348871304435
