单晶硅太阳能电池片基础知识培训.ppt

《单晶硅太阳能电池片基础知识培训.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、单晶硅太阳能电池片基础知识培训1、外观差异单晶与多晶的差异单晶电池片多晶电池片2、单晶的规格：单晶125：尺寸：125mmx125mm±0.5mm对角线：165mm±1mm单晶156：尺寸：156mmx156mm±0.5mm对角线：200mm±1mm厚度：180~200um±20mm单晶硅电池片生产流程扩散Diffusion清洗干燥Rinse&Dry制绒Texturing等离子刻蚀&湿法刻蚀EdgeisolationPECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposit

2、ion)印刷Printing烧结Fire测试分档Test&sort去磷硅玻璃(干刻)RemovePSG1、制绒原理：利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌，以减少硅片表面的反射率。反应式为：Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑制绒Texturing超声清洗装片粗抛（去除表面损伤）制绒（形成绒面）喷淋一次水洗二次水洗清洗干燥制绒机扩散2、制绒流程：3、微观绒面图像：原材料硅片粗抛后绒面4、异常现象：1）出现雨点状

3、的斑点，只要加入少量乙醇或异丙醇即可消除。2）硅片上端部分光亮，表明液位不够或溶液粘稠度过大，使篮框漂浮起来。3）硅片表面有流水印，说明溶液内硅酸钠过量，适当加大NaOH的用量；还有可能喷淋效果不理想。4）硅片局部或全部发白，说明硅片局部反应不均匀或表面反应受到抑制，可通过延长反应时间、提高溶液浓度等方法缓解。5）硅片表面残留硅酸钠，观察清洗效果，提高水洗温度或提高水洗流量。6）花篮印：一般为硅片与花篮接触阻碍硅片反应的速率，可以通过提过药液浓度、延长反应时间或清洗花篮等措施进行缓解。5、腐蚀深

4、度计算：腐蚀深度计算公式如下：（eg:M156）Etchdepth=([W(before)-W(after)]*10000g.cm^3)/(2.33g*243.36cm^2*2)即：腐蚀深度=（腐蚀前质量-腐蚀后质量）*腐蚀系数请简单计算单晶156的腐蚀系数是多少？单晶156面积：238.95cm^21、清洗目的：将硅片表面残留的金属离子、残留灰尘、氧化物等去除，保证扩散前硅片表面的洁净度。2、清洗用到的酸：HF、HCL3、甩干注意事项：甩干机开关门，要按照指示灯来操作，不允许提前操作，以免造成

5、安全事故甩干机进行甩干时，硅片要对称放置甩干机开盖时，要等到转动停止后在取片清洗和甩干Rinse&Dry1、扩散简单示意：扩散Diffusion2、扩散的目的：形成PN结。3、扩散中的化学反应：4、注意事项：插片：戴好手套，手套的戴法为：内层汗布手套外层PVC手套。调节插片台风量，然后用石英吸笔吸取硅片后轻轻插入石英舟的槽中，每槽一片插入石英舟（做单面扩散时每槽插两片）。上料下料时，不允许在碳化硅桨上拉动石英舟上料后的石英舟要紧贴均流板；上片下片时，舟叉的角度和地面不能超过15度；检查进出舟的速

6、度是否与规定的一致；等程序结束后，桨退到位后在下片；硅桨上有炉口滴落物应当用氮气枪轻轻吹去，去除不掉的用洁净石英棒轻轻划去；舟叉插入石英舟的速度不能过快，以免对石英舟造成损伤；运行程序之前，检查工艺程序是否与生产该型号硅片的程序对应；除上下舟的操作人员操作外，其他无关人员布不允许在扩散炉附近逗留；扩散炉硅桨、操作台面及其上的接磷盒、以及镊子、桌子、传递窗应保持清洁；完整填写随工单；不允许斜靠或者坐在装片用的桌子上，也不允许用手直接触摸该桌子及其上面的适应托盘、石英舟或其他洁净物品；下片时，应注意

7、避免或减少硅片受到的摩擦（WHY?）；下片时，需严格挑出不合格品返工处理。一、等离子刻蚀1、等离子刻蚀目的：去除硅片四周所扩散的N型层。刻蚀&去PSGEdgeisolation&RemovePSG2、等离子刻蚀原理：等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。等离子刻蚀也被称为干法刻蚀。测试手段：冷热探针测试仪、边缘隔离电阻测试仪。3刻蚀机整体结构反应室真空系统送气系统压力控制

8、系统高频电源和匹配器4、装片示意图5、去PSG什么是磷硅玻璃？在扩散过程中发生如下反应：POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子：这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。总反应式为：6、等离子刻蚀注意事项：装片时，硅片必须整理整齐，以防止个别硅片过刻；装片时碎片、缺角必须挑出；刻蚀