热压成型温度对PTFE／SiO2复合材料性能的影响.pdf

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1、第32卷第lO期电子元件与材料3l_32NO．102013年10月ELECTRoNICCoMPoNENTSAND【ATEIUALS0ct．2013热压成型温度对PTFE／SiO2复合材料lo土4--~月匕B的影响崔毓仁，袁颖，钟朝位(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054)摘要：采用热压工艺制备了PTFE／SiO2微波复合基板材料，研究了热压温度对PTFE／SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高，熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现，热

2、压成型温度升高使复合材料表面出现气孔，材料内部气孔数目增多，从而导致材料密度、相对介电常数下降，吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用，介电损耗先降低后增高，热导率则先增高后降低．热压温度为370℃时，复合材料性能较好(er-2．90，tanJ=O．001l，A=0．58960，K：0．566W／(m·℃))．关键词：复合材料；聚四氟乙烯；si02；热压成型温度；结晶度；微观结构doi：10．39690．issn．1001·2028．2013．10。006中圈分类号：TB332文献标识码：A文章编号：1001．

3、2028(2013)l0-0021-04InfluencesofthermoformingtemperatureonthepropertiesofPTFE／SiO2compositesCUIYuren，YUANying，ZHONGChaowei(StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China)Abstract：PTFE／S

4、iO2compositematerialswerepreparedbythermoformingprocessunderacertainpressure．TheinfluencesofthermoformingtemperatureonthemicrostructureandpropertiesofPTFE／SiO2compositeswereinvestigated．DiferentialscanningcalorimetryanalysisindicatesthatthedegreeofpolymerizationofPTFE

5、decreasesandcrystallinityincreaseswithanincreaseofthermoformingtemperature．Themeltingrangeisbroadenedthengetnarrowedasthetemperatureincreases．Poresarcobservedinsamplesbyscanningelectronmicroscopeandporosityisraisedbyincreasingtemperature，whichIcadtothedecreaseofdensit

6、yandrelativepermiaivity,andtheincreaseofwaterabsorption．Thedielectriclossisdecreasedandthenincreasedasthetemperatureincreasesduetotheinfluencesofcrystallinityandmicrostructureofcomposites．Ontheotherhand，thethermalconductivityincreasesandthendecreases．Whenthethermoform

7、ingtemperatureis370℃，thecompositematerialpossessesgoodperformance(8T=2．90，tanJ=O．00ll，A=0．58％e，=O．566W／(m·℃))．Keywords：compositematerial；P．TFE；SiO2；thermoformingtemperature；crystallinity；microstructure随着信息技术的发展，传统微波材料越来越难PTFE／陶瓷复合材料因具有相对介电常数易调、高频以满足电子产品轻量化、信号传输高速化以及高频

8、损耗小、金属化成本低、电路加工与安装方便以及带宽等要求。PTFE树脂因其特殊的分子结构，具有在震动场合不易碎裂等一系列优点，引起了众多材优异且稳定的微波性能，相对介电常数为2．1左右，料研究人员的重视【IJ，其中PTFE／SiO2复合材料是介电损耗