刻蚀工艺培训资料.ppt

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1、ETCHPROCESSTRAINING2000/8/28WHATISETCH？什么是腐蚀？腐蚀就是通过一定的方法（化学药液，特气等）把光刻曝光显影后形成的图形转移到硅片上，从而形成管芯的各种结构和图形。腐蚀课工艺分：腐蚀；去胶；清洗；ETCHBASEPARAMETER腐蚀速率（ETCHRATE）=单位时间内同种衬底损失掉的厚度；E/R=（A-B）/ETCHTIMEABETCHBASEPARAMETER腐蚀速率的均匀性（UNIF）=在同一硅片不同位置的腐蚀速率的差异；UNIF=[MAXE/R（1，

2、5）—MINE/R（1，5）]/2AVGE/R（1，5）15234ETCHBASEPARAMETER选择比（SELECITY）=在同样腐蚀条件下，不同材料的腐蚀速率的比值。SELA/B=（E/RA）/（E/RB）选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响。材料A材料BETCHBASEPARAMETER形貌（PROFILE）=反映腐蚀后硅片表面的地貌特征；负载效应=反映不同光刻图形（即PR/ETCHRATIO）对腐蚀速率，形貌等的影响。条宽损失（CDLOSS）=腐蚀对图形条宽的影响。C

3、DLOSS=FINALCD—PHOTOCDETCHBASEPARAMETER各向同性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上均一样的腐蚀；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。衬底衬底PRPR腐蚀前腐蚀后ETCHBASEPARAMETER各向异性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上不一样的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如大部分干法腐蚀就是各向异性腐蚀。衬底衬底PRPR腐蚀前腐蚀后刻蚀设备简介（5”）1612---干法AL刻蚀H200--干法AL刻蚀1611----POLY，SiCr刻蚀901-----SDG，POLY2，

4、PESiN刻蚀8111----SiO2刻蚀（栅孔，孔，PAD）CDE----PESiN，LPSiN全剥，Plasma处理DES----干法去胶刻蚀设备简介（5”）T-11---SiO2腐蚀T-14---AL-G产品湿法孔，栅孔腐蚀T-15---Si-G产品湿法孔腐蚀SH-----AL前湿法去胶，清洗S-13---AL后湿法去胶S-12---AL后湿法清洗T-16---湿法AL腐蚀刻蚀设备简介（6”）8330----------------------干法AL刻蚀P5000METAL-------

5、--干法AL刻蚀P5000POLYA腔体---POLY刻蚀P5000POLYB腔体--SiN刻蚀P5000POLYA腔体---POLY刻蚀P5000SiNA腔体------POLY，SiN刻蚀P5000SiNB腔体-------SiN刻蚀刻蚀设备简介（6”）P5000SiNC腔体-OXIDE刻蚀P5000OXIDE----OXIDE刻蚀384------------------1.0um以上产品SiN刻蚀384T----------------SPACER刻蚀ASIQ--------------

6、-OXIDE刻蚀AE2001------------ISO孔刻蚀A1000-------------干法去胶刻蚀设备简介（6”）SCP-1#--SiN全剥SCP-2#--AL前湿法去胶SCP-3#--OXIDE腐蚀SCP-4#--OXIDE腐蚀，漂洗SCP-5#--Ti腐蚀SST------AL后清洗SINETCHPROCESS工艺气体：SF6（6”PROCESS）；CF4/O2（5”PROCESS）工艺参数：SINE/R；UNIF；SIO2LOSS；PRLOSS；PROFILE；CDLOSS；

7、工艺要求：SIN腐蚀干净，无SIN残余；SIN条边缘整齐，氧化层颜色均匀；SIN腐蚀后条宽正常，SIO2LOSS正常；SIN去胶干净，无PR残余；常见异常：SIN残余；有源区图形未刻出；SIN过腐蚀，硅衬底被打毛；SINETCHCD异常；SINETCHPROCESSSINETCHPROCESSPOLYETCHPROCESS工艺气体：HCL,CL2,HE-O2工艺参数：POLYE/R；UNIF；SIO2LOSS；PROFILE；CDLOSS；工艺要求：POLY腐蚀干净，无POLY残余；POLY条边

8、缘整齐，氧化层颜色均匀；POLY腐蚀后条宽正常，SIO2LOSS正常；POLY去胶干净，清洗后无POLYMER残余；常见异常：POLY残余；POLYCD异常；POLY条形貌异常；硅片局部区域打火；SIO2LOSS变大；POLYMER增多或POLYMER残余；POLYETCHPROCESSPOLYETCHPROCESSALETCHPROCESS工艺气体：BCL3，SICL4，CL2，N2，SF6，HBR工艺参数：ALE/R；UNIF；SIO2LOSS；PRLOSS；PROFILE；CDLOSS；工