半导体材料的基本特性.ppt

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1、半导体材料的基本特性半导体的概念从导电特性和电阻率来分：超导体:大于106(cm)-1导体:106~104(cm)-1，容易导电的物体。如：铁、铜等绝缘体:小于10-10cm)-1，几乎不导电的物体。如：橡胶等半导体:104~10-10(cm)-1，导电性能介于导体和绝缘体之间的物体，在一定条件下可导电。原子结构由三种不同的粒子构成：中性中子和带正电的质子组成原子核，以及围绕原子核旋转的带负电核的电子，质子数与电子数相等呈现中性。电子能级原子级的能量单位是电子伏特，它代表一个电子从低电势处移动到高出1V的的电势处所获得的动能。价电子层原子最外部的电子层就是价电

2、子层，对原子的化学和物理性质具有显著的影响，只有一个价电子的原子很容易失去这个电子，有7个价电子的原子容易得到一个电子，具有亲和力。共价键不同元素的原子共有价电子形成的粒子键，原子通过共有电子来使价层完全填充变得稳定。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。离子键当价电子层电子从一种原子转移到另一种原子上时，就会形成离子键，不稳定的原子容易形成离子键。半导体分类本征半导体：几乎不含任何杂质的半导体。自由电子当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成

3、为自由电子。空穴自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。概念：掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体：在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，氮自由电子—多数载流子（由两部分组成）空穴——少数载流子杂质半导体P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。自由电子—少数载流子空穴——多数载流子（由两部分组成）能带结构电子的共有化运动——满足能量最低原理——泡利不相容原理能带结构的形成两个原子靠近时，电子波函数将重叠。这时泡利不相容

4、原理不允许一个量子态上有两个电子存在，于是一个能级将分裂为2个能级，N个原子靠近时，一个能级将分裂为N个相距很近的能级，形成能带价带：被价电子填充的能带导带：被自由电子填充的能带禁带：导带底与价带顶之间能带带隙：导带底与价带顶之间的能量差能带的特点：能带的宽窄由晶体的性质决定,与所含的原子数无关。能量较高的能带比较宽，能量低的较窄。每个能带中的能级数目与晶体中的原子数有关。能带中能量不连续常见半导体——硅硅是一种元素半导体，4个价电子，正好位于优质导体和绝缘体之间。选择硅的主要理由：硅的丰富度更高的熔化温度允许更宽的工艺容限更高的工作温度范围氧化硅的自然形成半导体产业

5、的发展半导体产业发展的基础是在20世纪上半业开发的技术上培育出来的，关键技术是在工业和学术网中获取的。半导体产业半导体发展趋势半导体发展趋势——微电子时代电子时代是由电子真空阶段延续到固体电子阶段的。当分立器件逐步过渡到集成电路阶段时，出现了诸如半导体器件集成化、电子系统集成化、电子系统微型化，也就出现了微电子时代电子技术的发展电子技术的发展是以电子器件的发展而发展起来的。电子器件的发展历经4个阶段：★电子管1906年，诞生第一只电子管★晶体管1947年，出现了半导体三极晶体管★集成电路1960年12月，成功制造世界上第一块硅集成电路★超大规模集成电路1966年，美国

6、贝尔实验室利用硅片外延技术，制造了第一块大规模集成电路集成电路的发展摩尔定律：1964年，戈登.摩尔，半导体产业先驱者和英特尔公司的创始人，预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。半导体工业为什么有如此的发展速度第一：集成电路业属于非资源耗尽型的环保类产业，原始材料是地壳中的二氧化硅。第二：集成电路的设计与制造技术中高新技术含量和技术赋加值极高，产出效益好。第三：集成电路的设计与制造业是充满技术驱动的效益驱动的高活性产业半导体的趋势★提高芯片性能★提高芯片的可靠性★降低芯片的成本提高芯片的性能关键尺寸芯片上的最小物理尺寸芯片上器件尺寸的相应缩小是按比例进行的，仅

7、减小一个尺寸是不可接受的。每块芯片上的元件数减小一块芯片的关键尺寸使得可以在硅片上制造更多的元件，由于芯片数增加性能也得到提高。摩尔定律功耗真空管耗费很大功率，而半导体器件确实耗用很小的功率，随着器件的微型化，功耗相应减小，尽管晶体管数以惊人的速度增长，但是功耗却在不断的下降。芯片可靠性芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力，通过严格的诸如无颗粒空气净化间的使用以及控制化学试剂的纯度来控制玷污降低芯片价格由于特征尺寸的减小使得硅片上集成的晶体管增多降低了成本。半导体产品市场大幅度增长引入了制造的规模经济微电子技术发展展望纵观20世纪中硅基微电子技术