模电 康华光 第六版 ppt .ppt

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1、《电子技术基础》模拟部分（第六版）华中科技大学张林电子技术基础模拟部分1绪论2运算放大器3二极管及其基本电路4场效应三极管及其放大电路5双极结型三极管及其放大电路6频率响应7模拟集成电路8反馈放大电路9功率放大电路10信号处理与信号产生电路11直流稳压电源7模拟集成电路7.1模拟集成电路中的直流偏置技术7.2差分式放大电路7.3差分式放大电路的传输特性*7.4带有源负载的差分放大电路7.5集成运算放大器7.6实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响7.7变跨导式模拟乘法器7.8放大电路中的噪声与干扰7.1模拟集成电路中的直流偏置技术7.1.1FET电流源电路7.1.2BJT电流源

2、电路7.1.1FET电流源电路1.MOSFET镜像电流源T1、T2的参数全同只要满足VGS>VTN必有VDS1>VGS-VTNT1一定工作在饱和区又因为VGS2=VGS1=VGST2漏极接负载构成回路后，只要满足VDS2>VGS-VTN，就一定工作在饱和区，且有7.1.1FET电流源电路1.MOSFET镜像电流源再根据便可求出电流值IO的电流值与Rd无关Rd的值在一定范围内变化时（VDS2>VGS-VTN），IO的电流值将保持不变，反映出IO的恒流特性。7.1.1FET电流源电路1.MOSFET镜像电流源当器件具有不同的宽长比时（=0）动态电阻(交流电阻)电流源是双口网络还是单口网络

3、？7.1.1FET电流源电路用T3代替R，T1~T3特性相同1.MOSFET镜像电流源T1~T3便可工作在饱和区由于所以只要满足输出电流为7.1.1FET电流源电路动态电阻更大，恒流特性更好2.串级镜像电流源需要注意，T4漏极接负载构成回路后，需要满足7.1.1FET电流源电路3.组合电流源除宽长比外，T0~T3特性相同，T4、T5特性相同需保证所有管子工作在饱和区7.1.1FET电流源电路4.JFET电流源JFET是耗尽型管，所以VGS=0时工作在饱和区耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源7.1.2BJT电流源电路Rc的值在一定范围内变化时，IC2的电流值将保持不变，反映出IC

4、2的恒流特性。T1、T2的参数全同1.镜像电流源7.1.2BJT电流源电路动态电阻一般ro在几百千欧以上1.镜像电流源7.1.2BJT电流源电路其他形式1.镜像电流源7.1.2BJT电流源电路由于很小，所以IC2也很小。ro≈rce2（1＋）（参考射极偏置共射放大电路的输出电阻）2.微电流源7.1.2BJT电流源电路3.高输出阻抗电流源A1和A3分别是T1和T3的相对结面积动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻高7.1.2BJT电流源电路T1、R1和T4支路产生基准电流IREFT1和T2、T4和T5构成镜像电流源T1和T3，T4和T6构成了微电流源4.组合电流源7.2差分式放大电路

5、7.2.1差分式放大电路的一般结构7.2.2FET差分式放大电路7.2.3BJT差分式放大电路1.差模信号和共模信号的概念7.2.1差分式放大电路的一般结构差分式放大电路输入输出结构示意图+-vi1+-vi2+-vo1差放vo2+-+-vid+-vo差模信号共模信号差模电压增益共模电压增益总输出电压其中——差模信号产生的输出——共模信号产生的输出共模抑制比反映抑制零漂能力的指标7.2.1差分式放大电路的一般结构根据有共模信号相当于两个输入端信号中相同的部分差模信号相当于两个输入端信号中不同的部分两输入端中的共模信号大小相等，相位相同；差模信号大小相等，相位相反。用vid、vic表示vi

6、1和vi21.差模信号和共模信号的概念7.2.1差分式放大电路的一般结构差模等效输入方式差放+-vid差放+-vid(a)(b)共模等效输入方式差放+-vic两输入端中的共模信号大小相等，相位相同；差模信号大小相等，相位相反。差分式放大电路输入输出结构示意图+-vi1+-vi2+-vo1差放vo2+-+-vid+-vo7.2.1差分式放大电路的一般结构2.零点漂移输入信号为零时，输出电压不为零且缓慢变化的现象。产生零漂的主要原因：温漂指标：（1）温度变化引起，也称温漂（2）电源电压波动温度每升高1ºC，输出漂移电压按电压增益折算到输入端的等效输入漂移电压值。7.2.1差分式放大电路的一

7、般结构3.三端器件组成的差分式放大电路7.2.2FET差分式放大电路1.MOSFET电路组成T1、T2对称源极共用电流源支路7.2.2FET差分式放大电路静态2.工作原理由可求得VGSQ最后需要校验是否工作在饱和区7.2.2FET差分式放大电路vi1和vi2大小相等，相位相反。vO1和vO2大小相等，相位相反。vO=vO1-vO20，信号被放大2.工作原理动态：仅输入差模信号7.2.2FET差分式放大电路vi1和vi2大小相等，相位相同。vO