模拟电子技术bjt讲义

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1、4.1BJT4.2基本共射极放大电路4.3放大电路的分析方法4.4放大电路静态工作点的稳定问题4.5共集电极放大电路和共基极放大电路4双极结型三极管及其放大电路基础14.1.1BJT的结构简介4.1BJT4.1.2放大状态下BJT的工作原理4.1.3BJT的V-I特性曲线4.1.4BJT的主要参数4.1.5温度对BJT参数及特性的影响2三极管（BipolarJunctionTransistor)图片§4.1.1BJT的结构简介3§4.1.1BJT的结构简介BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPN

2、P型4BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NPNCBEPNPCBE§4.1.1BJT的结构简介5发射结集电结BECNNP基极发射极集电极++++++++++____________________++++++++++§4.1.1BJT的结构简介6BECNNP基极发射极集电极基区(base)：较薄，掺杂浓度低集电区(collector)：面积较大发射区(emitter)：掺杂浓度较高§4.1.1BJT的结构简介7集电结外加反压发射结外加正压BECNNPVBBRBVCCIE由于基区掺杂浓度很低，基区空穴向发射区的

3、扩散电流可忽略。IBN进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。§4.1.2放大状态下BJT的工作原理BJT起放大作用的条件：内部条件和外部条件1.BJT内部载流子的传输过程8BECNNPVBBRBVCCIE集电结反偏，有少子形成反向电流ICBO。ICBOIC=ICN+ICBOICNIBNICN从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。§4.1.2放大状态下BJT的工作原理9IB=IBN-ICBOIBN

4、IBBECNNPVBBRBVCCIEICBOICNIC=ICN+ICBOICNIBN反向饱和电流ICBO，这个电流对放大没有贡献动画演示§4.1.2放大状态下BJT的工作原理10§4.1.2放大状态下BJT的工作原理BJT的三种连接方式共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示11§4.1.2放大状态下BJT的工作原理IC与IB之比称为共射极直流电流放大倍数：对于正向偏置的发射结：集电结收集的电子流是发射结的总电子流的一部分：共基极直流

5、电流放大倍数一般在0.98以上，共射极直流电流放大倍数一般为10～1002.BJT的电流分配关系12§4.1.2放大状态下BJT的工作原理3.BJT在电压放大电路中的应用举例RLecb1kVEEVCCVEBIBIEIC+-vI+vEBvO+-+iC+iE+iB若vI=20mV，电压放大倍数使iE=-1mA，则iC=iE=-0.98mA，当=0.98时，131.共射极连接时的V－I特性曲线§4.1.3BJT的特性曲线mAAVVvCEvBERBiBVCCVBB共射极接法的实验线路ic14vCE1V

6、iB(A)vBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管vBE0.6~0.7V,锗管vBE0.2~0.3V。一般用这一条曲线。vCE=0VvCE=0.5V死区电压，硅管0.6V，锗管0.2V。（1）输入特性(inputcharacteristic)§4.1.3BJT的特性曲线15IC(mA)1234VCE(V)3691240A60AQQ’=IC/IB=2mA/40A=50=IC/IB=(3-2)mA/(60-40)A=50=IC/IB=3mA/60A=50（2）输出特性(outputcha

7、racteristic)§4.1.3BJT的特性曲线16（2）输出特性(outputcharacteristic)§4.1.3BJT的特性曲线对共射极电路有：vBE不变，vCE→vCB反压→集电结的空间电荷区宽度→基区的有效宽度→基区内的载流子复合的机会→增大在基极电流不变的情况下，集电极电流将随vCE的增大而增大，输出特性比较平坦的部分随着vCE的增加略向上倾斜，称为Early效应基区宽度调制效应17§4.1.3BJT的特性曲线（2）输出特性(outputcharacteristic)当工作点进入饱和区或截止

8、区时，将产生非线性失真。饱和区特点：iC不再随iB的增加而线性增加，即此时截止区特点：iB=0，iC=ICEOvCE=VCES，典型值为0.3V18输出特性三个区域的特点：a.放大区(amplifierregion)BE结正偏，BC结反偏，IC=IB,且IC=IB。b.饱和区(saturatio