模电讨论一学生版资料.ppt

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1、D1++--v1v2RL+-iOvOD4D2D3电路中用了四个二极管，接成电桥形式，故称为桥式整流电路。讨论一：分析电路的工作原理，并画出输出的波形，选择二极管型号，计算出输出电压的平均值。首页在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→RL→D3回到TR次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→RL→D4回到Tr次级上端，在负载RL上得到另一半波整流电压。讨论二：已知VImax=15V,VImin=10V,IZmax=50mA,IZmin=5mA,RLmax=1kΩ,RL

2、min=600Ω,VZ=6V,对应ΔVZ=0.3V。求rZ，选择限流电阻R。VORLVDZRVIIRIOIZ++--+-UZ首页解：IZ=IR-Io=UI-UZR-UZRLIZmax＞UImax-UZR-UZRLmaxIZmin＜UImin-UZR-UZRLminrZ=ΔIZΔUZ=6.7Ω15-650+61=160ΩR＞R＜10-65+60.6=267ΩΔIZ=IZmax-IZmin=45mA下页上页首页UoRLVDZRUiIRIoIZ++--+-UZ讨论三：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管因为六只晶体管均在放大电路

3、中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个电极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPN型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为NPN型管，电位最高的为发射极，电位居中的是基极。若b-e间电压在0.1~0.3V之间，则为锗管；若b-e间电压在0.6~0.8V之间，则为硅管。讨论四：试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。9二、试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。交流通路中VBB短路，输入信号无法接入，不可能可能输入

4、信号直接作用于基极和地之间，没有作用在直流信号之上，必然失真，不可能10输入回路没有限流电阻，发射结会因电流过大损坏，不可能交流通路中电容C2将输入信号短路，不可能交流通路中VCC将输出信号短路，不可能11N沟道耗尽型FET，UGS=0，可能N沟道JFET，UGS<0，可能P沟道增强型FET，UGS>0，不可能讨论五：分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式132.1分别改正如图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法。+Vcc＋判断电路是否有放大倍数，先看直流能否放大，再看交流，切要保

5、证它不能失真因为失真，放大是没有意义的讨论六：在下图所示的晶体管电路中，选用的是2SC1923-R型晶体管，其极限参数：,,试问：（1）集电极电源电压VCC最大可选多少伏？最小可选多少？（2）集电极电阻为多少？三极管安全吗？（3）集电极耗散功率(1)试估算该电路的Q点；(2)画出简化的H参数小信号等效电路；(3)求该电路的电压增益、输人电阻、输出电阻；(4)若中的交流成分出现b所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真?为消除此失真，应调整电路中的哪个元件?如何调整?讨论七：解：(1)估算Q点-12VRb300kΩRc2kΩRSTVS+-Cb1Cb2+-VORL(2)简化的H参

6、数小信号等效电路图：RSVS+-Rbrbe+-ViRcRL+-Voβibbceibic(3)求Av、Ri、RoBJT的输入电阻：-12VRb300kΩRc2kΩRSTVS+-Cb1Cb2+-VORL该图中BJT为PNP管。BJT管在负半周失真，是由于静态工作点过低引起，即IBQ过小，因此是截止失真。-12VRb300kΩRc2kΩRSTVS+-Cb1Cb2+-VORL为消除失真，则要增大IBQ，所以应减小RbOOVsVott讨论八：所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出Av、Ri和Ro的表达式。加题