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1、半導體存儲器從使用功能上分﹐可分為﹕只讀定存儲器RAM(RamdomAccessMemory),又稱為隨機存取寄存器﹔只讀寄存器ROM(ReadonlyMemory)兩類.RAM主要用來存放各種現場的輸入﹑輸出數據﹐中間計算結果﹐與外存的信息作堆棧用。它的存儲單元內容按需求既可讀出﹐也可以寫入或者改寫。而ROM的信息在使用時是不能改變的﹐也即是不可寫入的﹐它只能計出﹐故一般用來存放固定的程序。半導體存儲品的分類RAM的分類一雙極型存取速度高﹐以晶體管的觸發器作為基本的存儲電路﹐故集成度低﹐功耗大﹐成本高。二MOSRAM可以分為SRAM(staticram),DRAM(dynamicram).1
2、SRAM用由六管構成的觸發器作為基本存儲電路。不需要刷新﹐故可以省去刷新電路。功耗比雙極型低﹐但比DRAM高。2DRAM用單管線路線成(靠電容存儲電荷)﹐比SRAM功耗更低﹐價格更便宜。但因為是靠電容來存儲信息﹐由于電容會逐步放電,所以必需周期性的對它重新充電﹐時間一般為2ms。RAM技朮專用技術詞匯:CDRAM-CachedDRAM——高速緩存存儲器CVRAM-CachedVRAM——高速緩存動態存儲器EDRAM-EnhancedDRAM——增強型動態存儲器FRAM-FerroelectricRAM——鐵電体存儲器SDRAM-SynchronousDRAM——同步動態存儲器MDRAM-Mul
3、tiBankDRAM——多槽動態存儲器SGRAM-SignalRAM——單口存儲器RAM的分類一掩模ROM﹕適用于批量生產﹐成本低﹐制造好了以后不能改變。二PROM(programmablerom):用戶可以自己寫﹐但只能寫一次。三EPROM(ErasePROM)/EEPROM:能多次擦寫﹐但因為它的速度比較慢﹐故把它當ROM來用。四FLAH/EPLD:這類其實可以作為EPROM的一部分﹐但發展非常快﹐應用廣泛﹐故分為另外一類。FLASH具有容量大﹐存取速度快的特點。ROM的分類典型FLASH介紹這里介紹INTEL的一顆典型的FLASH:TE28F160B3BA90主要特征﹕1Mx16Bit﹐
4、Accesstime為90ns,3V工作電壓﹐12V的燒錄電壓主要管腳描述CE#(CHIPENABLE):低電平有效﹐高電平為standby狀態﹐低電平后Atctivesinputbuffer,deocder.OE#(OUTPUTENABLE):低電平有效,在讀過程中允許output通過databuffer.WE#(WRITEENABLE):低電平有效,低電平時允許寫入。RP#(RESET/DEEPPOWER-DOWN):RESET信號﹐低電平有效,高電平默認為READ狀態。WP#(WRITEPROTECT):寫保護﹐低電平有效。主要pin腳描述A0-A19(ADDRESSINPUT):地址輸
5、入。D0-D15(DATAI/O):16Bit數據I/O線。VPP(PROGRAMM/ERASEPOWERSUPLY):燒錄/擦除電壓﹐12v.VCC:工作電壓,3v.其中CE#,OE#,WE#組成I/OLOGIC,控制著整CHIP的I/O.FLASHBLOCK典型SDRAM簡介EtronTech的EM638165SDRAM主要描述4Megax16SDRAM1Fastaccesstime:6ns2fastclock125M3fullysynchronousoperation41MX16-BitX4-BANK主要pin腳描述RAS#(ROWADDRESSSTROBE):行地址選通信號﹐低電平有效
6、。CAS#(COLUMNADDRESSSTROBE):行地址選通信號﹐低電平有效。CKE#(CLOCKENABLE):同步時鐘﹐低電平有效﹐高電平時處于powerdownmode.BA0-BA1:BANKSELECT,4MODES.CS#(CHIPSELECT):打開或者關閉commanddecoder,低電平有效﹐高電平時所有的命令都會被屏蔽。LDQM,UDQM(DATAI/OMASK):在read狀態時﹐控制outputbuffer;在write狀態時﹐屏蔽readmode.EM638165SDRAMBLOCKEEPROM簡介Microchip16K/2.5VSerialEEPROM93L
7、C76/86主要pin描述﹕CS#:CHIPSELECTDI#:SERIALDATAINPUT,串行數據輸入。DO#::SERIALDATAOUTPUT,串行數據輸出。PE#:PROGRAMENABLE,燒錄允許。ORG#:MEMORYCONFIGURATION,存儲配置。EEPROMBLOCKMEMORYARRAY:存儲排列DATAREGISTER:數據寄存器MODEDECODELOGIC:模式
