单片机存储器扩展课件.ppt

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1、第五章单片机存储器扩展MCS-51单片机系统扩展及结构系统总线及总线结构单片机数据存储器程序存储器I/O接口I/O接口地址总线AB数据总线DB控制总线CB总线构造80C51PSENRDWRP2ALEP0控制线高8位地址(A15～A8)锁存器低8位地址(A7～A0)数据线(D7～D0)以P0口的8位口线作地址/数据线因为P0口线既作低位地址线又作数据线使用，为此在构造地址总线时，要增加一个8位锁存器。根据指令时序P0口输出有效的低8位地址时，ALE信号高电平或下降沿选通。通常使用下降沿有效的74LS373。74LS273为上升沿选通。以P2口的口线作为高位地

2、址线高位地址线并不固定为8位，需要用几位就从P2口中引出几条口线。控制信号PSEN扩展程序存储器读选通EA内/外程序存储器选择ALE地址锁存选通信号RD、WR扩展数据存储器和I/O端口读写选通单片机存储器扩展及编址技术ROM0FFFFH1000H0FFFH0000H0000H0FFFHEA=1EA=0片内程序存储器片外程序存储器程序存储器80H0FFH7FH00H0FFH80H片内RAM（80c52/80C32)片内RAM特殊功能寄存器片内数据存储器片外数据存储器数据存储器0000H0FFFFHRAM存储器扩展的编址技术线选法：直接以系统的地址作为存储芯片

3、的片选信号。这种编址方法对存储空间的使用是断续的，只适用于小规模单片机系统。译码法：使用译码器对系统的高位地址进行译码，以其输出作为存储芯片的片选信号。常用的译码芯片有74LS138和74LS139。程序存储器扩展单片程序存储器扩展多片程序存储器扩展数据存储器扩展单片数据存储器扩展多片数据存储器扩展存储器综合扩展1.掩膜ROM2.可编程ROM（PROM、OTP-ROM）3.紫外线擦除可改写ROM（EPROM）2716（2KB）、2732（4KB）、2764（8KB）27128（16KB）、27256（32KB）4.电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PR

4、OM）28C16、28C64、28C256、28C512等5.快擦写ROM（flashROM）28F256、28F512、28F010、28F020等程序存储器扩展概述程序存储器扩展实现80C51P2.7ALEPSEN74LS373GP2.2P2.1P2.0P0.7～P0.02716CEA10A9A8A7～A0D7～D0OE单片程序存储器扩展地址线、数据线和控制信号线如图连接。存储器映像最低地址：8000H（A15~A0=1000000000000000）最高地址：87FFH（A15~A0=1000011111111111）由于P2.6～P2.3可为任意状

5、态，实际上该2716芯片对应有16个映像区：8000H~87FFH，8800H~8FFFH9000H~97FFH，9800H~9FFFH0A000H~0A7FFH，0A800H~0AFFFH等这种多映像区重叠是线选法造成的，因此映像区的非唯一性是线选法编址的一大缺点。80C51ALEPSEN74LS373GP2.4～P2.0CEA12～A8D7～D0OE两片程序存储器扩展图2764P0CEA12～A8D7～D0OE2764P2.7A7～A0A7～A0以P2.7作片选信号，P2.7=0，选址范围为0000H~1FFFHP2.7=1，选址范围为8000H~9F

6、FFH各芯片的低位地址线并行连接各芯片的数据线并行连接各芯片的控制信号PSEN并行连接给芯片的片选信号是不同的，需分别产生数据存储器概述1.数据存储器分类：SRAM、DRAM2.SRAM典型芯片：6116、6264其余还有EEPROMFRAM等。3.数据存储器扩展数据存储器扩展与程序存储器扩展在数据线、地址线的连接上是完全相同的。所不同的只在于控制信号，程序存储器使用PSEN作为读选通信号，而数据存储器则使用RD和WR分别作为读写选通信号。单片数据存储器扩展80C51ALEWR74LS373GP0.7～P0.06116A7～A0D7～D0OEP2.2～P2

7、.0A10～A8RDWERD接6116的OE，WR接6116的WE，6116的地址范围是0000H～07FFH。线选法多片存储器扩展译码法多片数据存储器扩展80C5174LS139Y0Y1Y2Y3ABGP2.3P2.4P2.5存储器综合扩展程序存储器的读操作由PSEN控制，数据存储器的读和写分别由RD和WR来控制。存储空间的区分1.内部ROM与RAMMOVC指令与MOV指令2.外部ROM与RAMMOVC指令与MOVX指令PSEN与RD、WR控制线3.内外RAM的区分256单元地址重迭MOV指令与MOVX指令区分