LED光源的封装课件.ppt

《LED光源的封装课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、LED封装提纲LED基础知识LED的概念，LED的发光原理LED的历史LED的基本参数，LED的结构，LED的产品分类，LED的产业链，白光LED封装白光LED的概念，白光LED的优点白光LED基本参数白光LED封装的基本工艺白光LED的封装技术1.1LED基本概念LED是发光二极管LIGHTEMISSIONDIODE;LIGHTEMITTINGDIODE.LED是通过半导体PN结把电能转化成光能的器件+-其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域

2、的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。量子阱把经过结区的电子空穴限制住，提高复合效率。1.2LED的基础知识：基本原理PN结－》量子阱1.3LED的基础知识：历史1、1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，效率0.1lm/W,比白炽灯低100倍，售价45$/只。2、1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。3、1971年，GaP绿色芯片LED。用途：指示用，长寿命10万小时，可靠4、80年代AlGaAs技术使得LED效率达到10流明/瓦，90年代的

3、AlGaInP技术使得LED效率达到100流明/瓦。用途：显示，信号用。用于室外的运动信息发布以及汽车的高位刹车灯。5、1994年，中村修二研制出了第一只GaN基高亮度蓝色发光二极管。用途：由于蓝光LED的出现，人们首次实现红黄蓝LED的全色显示，从90年代中期开始，许多广告、体育和娱乐场所开始应用LED大屏幕显示。6、1997年，中村修二和美国人修博特先后研制出了GaN蓝色发光二极管激发黄光荧光粉得到白光LED，效率不足10lm/W。7、2000年，日亚报道了15lm/W白光LED，8、2003年，日亚报道的光效达到60lm/W，2006年3月，其光效达

4、到100lm/W，9、2006年7月，Cree公司报道了130lm/W白光LED，10、2006年11月，日亚报道的光效达到150lm/W，其效率已经超过节能灯，实现了真正意义上的照明。11、2007年3月，美国CREE公司光效达到157lm/W，目前LED的效率向200Lm/W前进。1.4.1基本参数－电学参数正向工作电压Vf@If反向漏电流Ir@Vr功率P=Vf*If测量方法VfIfIrVr峰值波长（lp，nm），半峰宽（FWHM，nm）色纯度：反应了单色光和白光的比例主波长（ld，nm），视觉函数（V（l））1.4.2光学参数发光功率（Po，mW)，

5、光通量（Lf，lm）发光效率（Le，lm/W）当Lf=632∫V（l）Po（l）dl,当电功率全部转化成光功率,最大的发光效率为632lm/W,若蓝光激发荧光粉或三色LED混合得到白光,其效率小于300lm/W.发光强度(Iv,Lop，mcd）:单位立体角内的光通量.照度(illumination，lm/m2,Lx）:单位面积上光通量，被照表面的明亮情况。亮度（luminance，Cd/m2)：单位面积上的发光强度。光源的明亮情况。光通量与光强的关系LED的光强与角度有关系，而光通量与角度无关；发光角度为一半光强所夹的角（15o，30o，60o，90o，1

6、00o，120o，150o，180o）9006003000300600900LuminousOutput(mcd)若LED作为点光源，光通量F与光强IV的关系F=IV*2p*（1－cosq1/2)若60度发光角度光强为2000mcd,则光通量约为1.68lm但是光强随着角度变化并不是常数，以上公式只能近似的计算光通量，实际的情况是光强随着角度增大而减少。具体的数值需要通过配光曲线计算得到。1.4.3热学参数与可靠性LED的结温定义为LED的PN结的温度，通常芯片具有很小的尺寸，因此通常把芯片的温度等效结温。结温高将使得LED性能变差，失效。影响结温的因素：

7、1）不良的器件结构，大的串连电阻发热；2）封装材料的热阻，大的热阻导致散热的困难，材料和导热途径；3）发光效率低下，30％的电能转化成光能，其他转化成电能；4）环境的温度和联结材料，工艺。降低结温与耐热封装材料是高可靠性LED的保证。其他可靠性测试：恒温恒湿：高温高湿测量其对高湿环境下的可靠性高低温循环：测试LED对昼夜和四季的适应性冷热冲击：测试其开关特性高温工作：加速老化，测试寿命过锡试验：深加工耐温能力大电流老化测试：比加温更苛刻的老化条件，考虑结温分布不均匀性ESD抗静电击穿能力：抗静电能力LED寿命LED作为电子－空穴对复合发光，对半导体而言，理

8、论上它的寿命是无限长的。10万-100万小时的寿命概念源于半导体的