模拟电子技术综合复习题(有问题详解).doc

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1、1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素，变成为P型半导体。A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由C构成的。A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定

2、9、稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。B.前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。A.83B.91C.100D.1013、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体

3、管是A器件。A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量UCE。16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为D；图2为A。[基极电位总是处于中间]①3V②9V③2.3V图2①6V②0V③5.7V图1A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压B，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压D。A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大

4、电路中，场效应管工作在漏极特性的C。A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区D.击穿区20、场效应管是D器件。D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是B。B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为A。A.Rb短路24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电

5、压uc的波形，二者相位A相同。25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是.截止B失真。26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别10μA，1mA27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B输入电阻小。28、放大电路产生零点漂移的主要原因是环境温度变化引起参数变化

6、29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选直接B耦合方式。30、放大电路的三种组态（都有功率放大作用C）。一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（C70dB）。31.多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（提高　A　）。一、填空1、PN结中扩散电流的方向是：从P区到N区，漂移电流的方向是从N区到P区。2、PN结的最大特点是单向导电性。3、使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。4.PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流

7、子的运行。5、PN结反偏时，电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。7.P型半导体中的多数载流子是空穴，N型中的多数载流子是电子以上为第一章习题8、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。9、从栅极输入，从漏输出的是共源极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共基极

8、放大电路的电流放大倍数不可能大于111.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100,总的放大倍数为10。12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。1、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求左图所示电路中电阻R的取值围