电子技术基础与技能配套PPT(模拟部分)课件.ppt

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1、电子技术基础与技能第1章常用半导体器件第2章放大电路基础第3章常用放大器第4章直流稳压电源第5章正弦波振荡器第6章高频信号处理模拟部分硅是地壳中最常见的元素，石头的主要成分是二氧化硅。二氧化硅也是半导体材料之一，由它做出来的半导体器件（二极管、三极管、场效应管），是构成集成电路、电子线路的基本元件。在电视、电脑、手机、数码电器中的这些半导体元件无时无刻不在为我们服务。第1章常用半导体器件学习任务了解晶体二极管的单向导电性。了解晶体二极管的结构、电路符号、引脚。了解晶体二极管伏安特性曲线和主要参数。了解特殊二极管的外形特征、功能。

2、了解特殊二极管在实际中的应用。1.1晶体二极管自然界的物质按导电能力的强弱可分为三大类:导体，绝缘体和半导体。半导体的基本知识导体：能够让电流通过的金属等材料。绝缘体：电流几乎不能通过的物体。半导体：导电性能介于导体和非导体之间的物质（如硅和锗）。本征半导体：纯净的半导体杂质半导体：纯净半导体中掺入杂质元素。半导体的基本知识半导体本征半导体杂质半导体P型半导体N型半导体掺入杂质不同N型半导体P型半导体半导体的基本知识PN结的形成结构常见二极管的外形二极管的结构和符号晶体二极管的结构和特性加偏置：在二极管的两端外加电压。正向偏置：

3、阳极电位高于阴极电位。反向偏置：阴极电位高于阳极电位。二极管具有单向导电性。重要特性晶体二极管的结构和特性二极管的伏安特性曲线正向导通电压反向击穿电压二极管器件的使用1）最大整流电流指二极管长期运行时所允许通过的最大正向平均电流。2）最高反向工作电压指二极管在使用时允许加上的最高反向电压。主要参数二极管器件的使用3）反向电流指二极管两端加上反向电压时的电流值。4）最高工作频率指保证二极管单向导电性的最高工作频率。主要参数特殊二极管及它们的应用工作于反向击穿区两端的电压也几乎保持不变稳压二极管与应用特点：稳压二极管的电路符号和外形

4、特殊二极管及它们的应用结电容随反向电压变化变容二极管与应用特点：变容二极管的符号和结电容的变化特殊二极管及它们的应用会发光正向饱和压降为1.5V～3V发光二极管与应用特点：发光二极管的电路符号和外形特殊二极管及它们的应用将光变成电光电二极管与应用特点：光电二极管的电路符号和外形1.2晶体三极管学习任务掌握晶体三极管的结构、类型及符号。了解三极管的电流放大特性。了解三极管的输入和输出特性曲线，以及温度对特性的影响。了解三极管的主要参数，会在实践中合理选用三极管。晶体三极管的结构和类型NPN型三极管结构示意图及电路符号PNP型三极管

5、结构示意图及电路符号三极管实物三极管的电流分配关系和放大作用要使三极管对微小信号起到放大作用，必须保证外加的电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。a）供电示意图　b）供电电路NPN管工作时的供电三极管的电流分配关系和放大作用共发射极接法共发射极接法共发射极接法输出集电极电流输入基极电流三极管的特性曲线a)放大电路b)输入特性曲线　c)输出特性曲线三极管的特性曲线VCE为定值时输入回路IB与VBE之间的关系IB为定值时输出回路VCE与IC与之间的关系三极管的特性曲线根据输出特性曲线，三极管的工作状态可分为三种情况：（1）截止区外加

6、电压使发射结和集电结均反偏（2）饱和区外加电压使发射结正偏，集电结也正偏（3）放大区截止区与饱和区中间的部分三极管的主要参数质量参数极限参数频率参数电流放大倍数β集电极–发射极反向饱和电流ICEO集电极最大允许电流ICM集–射反向击穿电压VBER(CEO)集电极最大允许功耗PCM特征频率fT1.3　　场效应管学习任务了解场效应管的结构、类型及符号。了解场效应管的电压放大特性。了解场效应管的主要参数。了解场效应管的特点及应用。1.3　　场效应管场效应管类型结型场效应管结构（以N沟为例）两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极：G：栅极

7、D：漏极S：源极P+P+gd源极栅极漏极s(a)N沟道结构示意图N（b）符号N-N-gd漏极栅极源极sP（b）符号(a)P沟道结构示意图绝缘栅型场效应管c)耗尽型N沟道　d）耗尽型P沟道a）增强型N沟道　b）增强型P沟道绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS场效应管结构N沟道增强型MOS场效应管工作原理图绝缘栅型场效应管场效应管放大电路工作电压栅极电压漏极电阻工作原理场效应管的主要参数开启电压VGS：增强型MOS场效应管开始产生ID电流时VGS的值夹断电压VGS(off)：耗尽型场效应管或结型场效应管在漏源电压VDS固定在某一数值，

8、沟道开始夹断时VGS的值场效应管的主要参数饱和漏极电流IDS(sat):指结型场效应管和耗尽型MOS管在栅源短路(VGS=0)条件下，加漏源电压VDS所形成的漏极电流。跨导gm:为漏源电压VDS恒定时，漏极电流ID与引起这个变化的栅源电压VGS之比。漏源击穿电压