在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt

在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt

ID:57199330

大小:1.70 MB

页数:40页

时间:2020-08-03

在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt_第1页
在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt_第2页
在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt_第3页
在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt_第4页
在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt_第5页
资源描述:

《在感性负载下的开关损耗公式推导课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、MOSFET在感性负载下的开关损耗公式张兴柱博士2015年6月1一:分析MOSFET开关过程的原理图21:电流负载下的等效电路下面的分析中假定:---电感电流在开关过程中保持不变;---MOSFET要考虑其寄生参数;---二极管分两种情况(无反向恢复和有反向恢复)。32:分析用MOSFET的简化等效电路为了简化分析,先对进行分析然后再从它的分析结果,来对比分析获得时的结果4二:MOSFET的开关过程原理及分析(二极管无反向恢复)5--在t0前,MOSFET工作于截止状态,t0时,MOSFET被驱动开通;开通过程的轨迹图开通过程的波形图[t0-t1]区间:图中红色Phase1这点轨迹。MOSF

2、ET的GS电压经Vcc对Cgs充电而上升,在t1时刻,到达维持电压Vgs(th),MOSFET开始导电。[t0-t1]区间的等效电路1:MOSFET的开通过程原理推导见下页6[t0-t1]区间:方程初始值解t1时刻该间隔是MOSFET的延迟开通间隔。7开通过程的轨迹图开通过程的波形图[t1-t2]区间:图中黄色Phase2这段轨迹。[t1-t2]区间的等效电路另外:当DS电流增加到,该间隔结束,二极管关断。此时:MOSFET的DS电流因Vgs的增加而增加,如下式:从上式,可将DS看作是一个受控电流源。推导见下页8[t1-t2]区间:其中:所以:方程初始值解t2时刻该间隔中DS电压保持不变,M

3、OSFET的DS电流则可近似看成线性上升,间隔结束时刚好上升到外部电流。9开通过程的轨迹图开通过程的波形图[t2-t3]区间的等效电路[t2-t3]区间:图中蓝色Phase3这段轨迹。至t2时刻,MOSFET的DS电流已上升到外部电流并保持不变,导致GS电压保持不变。由于GS电压不变,驱动电流变成恒定并对GD电容进行充电,导致DS电容上的电压线性减小,直到到达饱和区的边界;推导见下页10[t2-t3]区间:MOSFET在t2时刻其DS电流已为IL1,此后GS电压保持不变,门极电流对Cgd充电,直到其进入饱和区的边界。方程初始值解t3时刻()()()该间隔中DS电流保持不变,MOSFET的DS

4、电压则可近似看成线性下降,间隔结束时下降到有对应的饱和电压。另外这个间隔中的二极管因电压反偏而截止。11开通过程的轨迹图开通过程的波形图--[t3-t4]区间:图中绿色Phase4这段轨迹。MOSFET在t3时刻已进入饱和区边界,GS电压不再维持不变,Vcc继续对Cgs充电,GS电压继续上升,使MOSFET的通态电阻减小,从而DS电压也继续减小,直到t4时刻,GS电压上升到Vcc为止。由于这个间隔内,MOSFET的通态压降虽有减小,但变化不大,所以可不计为开通损耗,而将其看作通态损耗。该间隔中的DS电压随着的继续增加,还会略略减小,间隔中虽然有损耗,但非常小。该间隔的时间也可以计算,但由于其

5、损耗已不按开通损耗来算,所以就不需要这个数据了。12开通损耗:如电流、电压波形均用用线性近似,则有:其中:132:MOSFET的关断过程原理--在t5前,MOSFET工作于导通状态,t5时,MOSFET被驱动关断;关断过程的轨迹图关断过程的波形图[t5-t6]区间:图中绿色Phase1这段轨迹。MOSFET的Cgs电压经驱动电路电阻放电而下降,使饱和区电阻微微上升,DS电压梢稍增加,但DS电流不变,直到t6时刻到达饱和区边界;[t5-t6]区间的等效电路因这个间隔内MOSFETDS电压很小,其损耗仍然可以计算到MOSFET的通态损耗之内,故这个间隔的时间不用计算。14--[t6-t7]区间:

6、图中蓝色Phase2这段轨迹。在t6时刻,MOSFET进入放大区,因DS电流不变,导致GS电容电压不变,反向驱动电流变成恒定,并对GD电容放电,使DS电压继续增加。关断过程的轨迹图另外:推导见下页15[t6-t7]区间:MOSFET在t6时刻进入放大区,此后GS电压保持不变,门极电流对Cgd放电,直到MOSFETDS电压上升到Voff,二极管D导通为止。()()方程初始值解t7时刻()该间隔中DS电流保持不变,MOSFET的DS电压则可近似看成线性上升,间隔结束时上升到有电压,使二极管因电压正偏而导通。16--[t7-t8]区间:图中黄色Phase3这段轨迹。至t7时刻,MOSFET的DS电

7、压升至Vds(peak2),使二极管D导通,DS电流下降,GS电压也开始继续下降,直到下降到维持电压Vgsth(t8时刻)为止,此时MOSFETDS的电流已降为零。推导见下页17[t7-t8]区间:二极管在t7时刻进D导通开始,MOSFET电流开始下降,在时刻t8,MOSFET的GS电压下降到Vgs(th)时,其电流完全转移到二极管而关断。方程初始值解t8时刻该间隔中DS电压保持不变,MOSFET的DS电流则

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。