电工电子技术与技能期中试卷.doc

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1、电工电子技术与技能期中试卷学号姓名一、填空题1、物质按导电能力的大小可以分为,,二极管属于2、晶体二极管加一定的正向电压时，加反向电压时，这一导电特性，称为晶体二极管的。3、硅管的门坎电压约为V，锗管约为V；硅管的导通电压约为V，锗管约为V。4、二极管的正向电阻,反向电阻.5、PN结的主要特性是。6、晶体三极管按半导体材料可分为管和管；按PN结的组合方式不同可分为型和型。7、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是：发射结、集电结。电流分配关系是。8、通常把晶体三极管的输出特性曲线分成三个区域，它们分别是、和。9、晶体三极管集电极输出电流

2、IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则输入电流IB=mA。10、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管较好。二、判断题：1、晶体三极管具有能量放大作用。（）2、当发射结正偏，集电结反偏时，晶体三极管工作在放大状态。（）3、当集电极电流IC值大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管一定损坏。（）4、二极管和三极管都属于非线性器件。（）5、晶体三极管的集电极和发射极可以对调使用。（）6、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是

3、高于b极电位。（）7、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（）8、对于NPN型三极管，当VBE〉0时，VBE〉VCE，则该管工作状态处于饱和状态。（）三、选择题1、在P型半导体中（）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．空穴的数量略多于电子C．电子是多数载流子，空穴是少数载流子D．没有电子2、二极管两端加上正向电压时（）A．一定导通B．超过死区电压才能导通C．超过0.7伏才导通D．超过0.3伏才导通3、用万用表的”R×10”挡和”R×100”挡测量同一个二极管的正向电阻,两次测量得的值分别是R1和R2,则

4、二者相比（）A.R1>R2B.R1=R2C.R1

5、时，晶体三极管工作在什么状态。（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无法确定8．三极管工作在放大状态下，具有一个特性。（）A、单向导电性B、输出特性C、恒流特性D、无法确定四、分析计算题1、分析图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯，哪一个可能发光？并简述理由。2、已知某三极管的IB1=10μA时，ICl=0.88mA，当IB2=40μA时，IC2=2.38mA，求该三极管的β值为多少?3、锗三极管，β=50，IB=10μA，试求IC=?4、如下图所示电路，设VBE=0.7V，求IB=？IC=？VCE=？