同济模拟电路试题库.doc

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1、课程：《模拟电子技术》一．填空题1．P型半导体可通过在纯净的半导体中掺入价元素杂质获得，N型半导体可通过在纯净的半导体中掺入价元素杂质获得。注释：P11通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。按掺入杂质元素的不同，可形成N型半导体和P型半导体；控制掺入杂质的浓度，就可控制杂质半导体的导电性能。P11-12掺入五价元素形成N型半导体，由于杂质原子的最外层有五个价电子，所以除了与周围硅原子形成共价键外，还多出一个电子。N型半导体中自由电子是多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子

2、）。主要靠自由电子导电。P12掺入三价元素形成P型半导体，由于杂质原子的最外层有三个价电子，所以与周围硅原子形成共价键时，产生一个空位（即空穴）。P型半导体中自由电子是少数载流子，空穴为多数载流子。主要靠空穴导电。2．要给PN结加正偏，应在其P端接电源的极，而在其N端接电源的极。注释：P13①PN结的形成采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上。P13在它们的交界面附近，由于多数载流子的扩散运动，使得P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动的，称为空间电荷区（也称耗尽层），形成内电场。

3、随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，正好阻止扩散运动的进行。P14当空间电荷区形成后，在内电场的作用下，少数载流子产生漂移运动，空穴从N区向P区运动，而自由电子从P区向N区运动。在无外电场和其他激发作用，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。P14②PN结的宽度：掺杂浓度愈大，PN结愈窄；掺杂浓度愈小，PN结愈宽。两边掺杂浓度相同叫对称结；两边掺杂浓度不同叫非对称结，且掺杂浓度大的一侧窄。P14-15③PN结的单向导电性：PN结外加正向电压时

4、处于导通状态当电源的正极接PN结的P端，且电源的负极接PN结的N端时，称PN结外加正向电压，也称正向接法或正向偏置。此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，消弱了内电场，破坏了原来的平衡，是扩散运动加剧，漂移运动减弱。由于电源的作用，扩散运动将源源不断的进行，从而形成正向电流，PN结导通。PN结外加反向电压时处于截止状态当电源的正极接PN结的N端，且电源的负极接PN结的P端时，称PN结外加反向电压，也称反向接法或反向偏置。此时外电场使空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行，形成

5、反向电流也称飘移电流。由于少子的数目极少，反向电流非常小，在近似分析计算中常将它忽略不计，认为PN结外加反向电压时处于截止状态。P16④PN结的击穿当PN结所加反向电压超过一定数值U（BR）。后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。齐纳击穿：在高掺杂的情况下，因耗尽层的宽度很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿，齐纳击穿的本质是场致激发。雪崩击穿：如果掺杂浓度较低，耗尽层宽

6、度较宽，低反向电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式的倍增，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿的本质是碰撞电离。3．PN结的电击穿有二种，分别是击穿与击穿。4．二极管的基本特性是。5．设图1中的二极管是理想的，则流过RL的电流为。VDRR＋＋＋＋E10VRLVS1RLVD100ΩUI1kΩUOUI3VUO－VS2－－－图1图2图3注释

7、：P21理想二极管导通时正向压降为零，截止时反向电流为零。6．已知图2所示电路中的输入电压UI=24V，稳压管VS1的稳定电压UZ1=6V，VS2的稳定电压UZ2=8V，则输出电压UO=。注释：P23稳压管的伏安特性与普通二极管相类似，正向特性为指数曲线。当稳压管外加反向电压的数值达到一定程度时则击穿，在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性。因而广泛用于稳压电源与限幅电路中。7．测得放大电路中三极管三个电极的电位分别为－4V、－9V、－3.3V，由此可见该管是管。注释：P29①NPN晶体管和

8、PNP晶体管的结构。P21②二极管的导通压降硅管0.7V，锗管0.3V。据此判断是硅管P33③晶体管的三个工作区的特征：放大区：发射结正偏，集电结反偏截止区：发射结和集电结均反偏饱和区：发射结和集电结均正偏本题中，已知是放大电路，所以晶体管工作在放大区，所以发射结正偏，集电结反偏，可用试凑法进行判断8．设图3所示电路的二极管是理想的，UI=5V