模电试题-选择、判断题.doc

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1、一、判断题（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×（7）×（8）√（9）×（10）×（11）√（12）×（13）×（14）×（15）√（16）×（17）×（18）√（19）×（20）√（21）×（22）√（23）√（24）×（25）√（26）×（27）√（28）×（29）×（30）×（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5

2、）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）（7）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（8）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（9）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（10）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（11）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（12）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（13）只

3、要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）解：（14）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。()（15）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。()（16）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。()（17）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。()（18）互补输出级应采用共集或共漏接法。()（19）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）（20）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放

4、大电路的放大倍数量纲相同。（）（21）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（）（22）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（）（23）运算电路中一般均引入负反馈。（）（24）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（）（25）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（）（26）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。（）（27）在图1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。（）图1（28）只要电路引入了正反馈

5、，就一定会产生正弦波振荡。（）（29）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（）（30）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。（）二、选择题1-5ACCBB6-10CCAAB11-15CABAB16-20CBCAD21-25CACDB26-30ACDAB31-35CBACC36-40CDCBB41-45ACDBB46-50ADDCD（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。A.ISeUB.C.D.（3）稳压管的稳压区是其工作在。A.正

6、向导通B.反向截止C.反向击穿D.无法确定（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏（5）UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有。A.N沟道结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D.P沟道结型管（6）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。A.电阻阻值有误差B.采用阻容耦合方式C.晶体管参数受温度影响与电源电压不稳定D.晶体管参数的分散性（7）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作

7、大容量电容D.放大倍数大（8）选用差分放大电路的原因是。A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数D.稳定输出电压（9）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的。A.差B.和C.平均值D.不能确定（10）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的。A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大D.共模放大倍数增大（11）互补输出级采用共集形式是为了使。A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强D.稳定输出电压（12）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。

8、A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化D.改变直流电源电压（13）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原