磊晶层概要简介课件.ppt

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1、LED磊晶層概要簡介2011/xx/xxReporter磊晶層名稱及定義LED磊晶層示意圖LED磊晶層名稱定義基板孕核層(緩衝層)N-型半導體多重量子井發光層P-型半導體超晶格結構層P-GaNAlGaN/InGaNInGaN/GaNInGaN/GaNsubstrateGaNbufferlayer(non-doped)GaNbufferlayer(Si4E18)N-supperlattice(non-doped)Activelayer(multiquantumwell)non-dopedP-supperlatticeP-contactlayerP-electrodeGaNbufferl

2、ayer(LT)Sapphiresub.GaNN-GaNGaNn-electrodeLED磊晶層示意圖LED磊晶層名稱定義(I)基板(Substrate)名稱:Al2O3&Sapphire&藍寶石定義:一種被使用於成長氮化鎵發光二極體之原材料種類:Namiki,Kyocera,CWT,Monocrystal,CAT,TXT…LED磊晶層名稱定義(II)孕核層(緩衝層)名稱:BufferLayer定義:一種為改善磊晶品質及消弭GaN與Sapphire之間晶格失配之磊晶層種類:LowTemperatureGaNHighTemperatureAlGaNLED磊晶層名稱定義(III)N-型半

3、導體名稱:N-GaN定義:以電子為主要電流傳導之半導體(GaN:Si)種類:SD-GaN(slightdoping):Si摻雜濃度約-1e+17/cm3HD-GaN(heavilydoping):Si摻雜濃度約-5e+18/cm3U-GaN(undoped):未摻雜SiLED磊晶層名稱定義(V)多重量子井發光層名稱:MultiQuantumWell定義:依不同材料使用使半導體能階產生高低進而發出不同波長之光源種類:P-型半導體名稱:P-GaN定義:以電洞為主要電流傳導之半導體(GaN:Mg)種類:F-P_GaN(flat):Mg摻雜濃度約1e+20R-P_GaN(rough):Mg摻

4、雜濃度無法量測LED磊晶層名稱定義(IV)超晶格結構層名稱:Super-Lattice定義:一種為提升磊晶品質及提高發光效率之磊晶層種類:皆被廣泛應用於N&P型半導體中AlGaNSLInGaNSLAlInGaNSLLED磊晶層名稱定義(VI)