晶片加工过程图解.doc

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1、·Forpersonaluseonlyinstudyandresearch;notforcommercialuse···莇晶片加工过程图解··芃来源：中国IC技术交易网莀结晶  晶片制造的第一步是形成大的硅单晶锭。该过程是从在石英坩埚中熔化多晶硅原料及微量的电活性元素，如III.V族搀杂剂开始的。   一旦熔液达到规定的温度，将硅“籽晶”放入熔液中，溶液缓慢冷却至规定的温度，开始与“籽晶”融合长大。“籽晶”慢慢地从熔液中拉出。用熔液温度和拉晶速度控制晶锭直径。熔液中点活性元素的浓度决定所制成的硅晶片的电学性能。晶锭磨削  晶锭长成后，将其从单

2、晶炉中拉出并冷却。将晶锭磨削至规定直径。切片    用线锯将晶锭割成薄的景片。线切割原理是：将晶锭送入由超细的，快速运动的线组成的网中。当线快速、前后横向运动时，向线网上分配磨料液而实现切割。在线网作用时候，单根线从一个大线轴送到另一个大线轴。根据现径大小。一个大线轴可绕几百公里的线。线切割使得整支晶锭能在同时被切成片。这样，可减少加工时间，同时使“切口”损失最小。仿形磨削  线切割后中，单个切片有尖锐的，易碎的棱。这些棱角必须磨圆或仿行磨削，使景片具有强度。仿行磨削归根结底防止晶片在随后的内部加工及器件制作中修理或碎裂。磨片  磨片工艺通过

3、使用磨料液可以在晶体上去除控制数量的硅。该工艺去除切割损伤并积极影响到晶片的平直度。电子检测  为了确认要求，采用最新粒子探测设备对晶体进行100%检测。这些设备使用扫过晶片表面的扫描激光束。任何出现在晶片表面上的粒子将散射在入射的激光束中。通过测量反射光，可测定出任何粒子的数量、尺寸和位置。抛光  最后抛光和清洗工艺使晶片洁净并具有半导体器件制作所需的超平镜面抛光表面。晶片抛光是一个化学、机械过程。抛光使固态器件从单个电路转变到当今集成电路的复杂性。外延  对某些进一步加工成外延晶片。外延晶片是在基本晶片基地抛光表面上长成一层薄的单晶磨膜。

4、晶片基体与晶片表面上的单晶硅膜表面上的单晶硅膜具有不同的充分和电学性能，其中包括，有助于改善制作在晶体硅膜表面上的电路元件之间的绝缘。将三氯硅烷气体注入一个高温，单个切片的EPI反映炉中。当晶体旋转时，气体流入到晶体上面。硅原子附着在晶体的晶片基体上。仅供个人用于学习、研究；不得用于商业用途。Forpersonaluseonlyinstudyandresearch;notforcommercialuse.NurfürdenpersönlichenfürStudien,Forschung,zukommerziellenZweckenverwen

5、detwerden.Pourl'étudeetlarechercheuniquementàdesfinspersonnelles;pasàdesfinscommerciales. толькодлялюдей,которыеиспользуютсядляобучения,исследованийинедолжныиспользоватьсявкоммерческихцелях. 以下无正文Forpersonaluseonlyinstudyandresearch;notforcommercialuse