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时间：2020-08-27
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1、第八章pn结二极管的瞬态特性8.1瞬态关断特性8.2瞬态开启特性8.1瞬态关断特性1、关断延迟和延迟时间正向时有电流IF流过p-n结；然后开关S接到右边，加一反向偏压，此时通过p-n结的电流并不是立即变为反向饱和电流Is,而是先经过一个较大的恒定反向电流IR阶段，然后再逐渐衰减到Is.由正向偏置到反向偏置的瞬态响应p-n结的反向瞬变过程可分为电流恒定和电流衰减两个阶段，相应的瞬变时间分别以ts和tr表示。ts称为存储时间；tr称为下降时间，trr=ts+tr即为反向恢复时间,(它是反向电流衰减到它的最大值的10%
2、所需的时间）它比偏压从正向突变为反向的瞬变时间长的多。图c可看出（1）03、界有少子积累，反之，耗尽区边界有少子积累pn结处于正偏。（2）在04、，存贮在n型一侧的空穴为QP,存贮在p型一侧的电子可忽略。QP满足连续性方程：因为当05、定性分析在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。为简单起见，以理想p+n突变结二极管为例：2。定量分析分离变量解方程得：稳态条件下理想二极管中的空穴存贮电荷为作为一级近似，开启过程用vA(t)代替VA又因为二式联立求解，可得电压随时间的响应规律在瞬态开启期间p+n二极管内部空穴存贮电荷的积累结论：瞬态开启过程也随IF和p的增加而增加，因为达到稳态所需的电荷与二着成正比Q=IFp=IFn在开启阶段只需6、很短的时间(约0.01p)内，电压就能增加到接近二极管的正向工作所需的开启电压。Pn结原理图
3、界有少子积累，反之，耗尽区边界有少子积累pn结处于正偏。（2）在04、，存贮在n型一侧的空穴为QP,存贮在p型一侧的电子可忽略。QP满足连续性方程：因为当05、定性分析在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。为简单起见，以理想p+n突变结二极管为例：2。定量分析分离变量解方程得：稳态条件下理想二极管中的空穴存贮电荷为作为一级近似，开启过程用vA(t)代替VA又因为二式联立求解，可得电压随时间的响应规律在瞬态开启期间p+n二极管内部空穴存贮电荷的积累结论：瞬态开启过程也随IF和p的增加而增加，因为达到稳态所需的电荷与二着成正比Q=IFp=IFn在开启阶段只需6、很短的时间(约0.01p)内，电压就能增加到接近二极管的正向工作所需的开启电压。Pn结原理图
4、，存贮在n型一侧的空穴为QP,存贮在p型一侧的电子可忽略。QP满足连续性方程：因为当05、定性分析在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。为简单起见，以理想p+n突变结二极管为例：2。定量分析分离变量解方程得：稳态条件下理想二极管中的空穴存贮电荷为作为一级近似，开启过程用vA(t)代替VA又因为二式联立求解，可得电压随时间的响应规律在瞬态开启期间p+n二极管内部空穴存贮电荷的积累结论：瞬态开启过程也随IF和p的增加而增加，因为达到稳态所需的电荷与二着成正比Q=IFp=IFn在开启阶段只需6、很短的时间(约0.01p)内，电压就能增加到接近二极管的正向工作所需的开启电压。Pn结原理图
5、定性分析在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。为简单起见，以理想p+n突变结二极管为例：2。定量分析分离变量解方程得：稳态条件下理想二极管中的空穴存贮电荷为作为一级近似，开启过程用vA(t)代替VA又因为二式联立求解，可得电压随时间的响应规律在瞬态开启期间p+n二极管内部空穴存贮电荷的积累结论：瞬态开启过程也随IF和p的增加而增加，因为达到稳态所需的电荷与二着成正比Q=IFp=IFn在开启阶段只需
6、很短的时间(约0.01p)内，电压就能增加到接近二极管的正向工作所需的开启电压。Pn结原理图
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