电子技术教案 新 优质文档.doc

电子技术教案 新 优质文档.doc

ID:57630364

大小:693.27 KB

页数:58页

时间:2020-08-29

电子技术教案    新 优质文档.doc_第1页
电子技术教案    新 优质文档.doc_第2页
电子技术教案    新 优质文档.doc_第3页
电子技术教案    新 优质文档.doc_第4页
电子技术教案    新 优质文档.doc_第5页
资源描述:

《电子技术教案 新 优质文档.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、优质文档电子技术参赛教案课题半导体特性、PN结、二极管课型教学目的了解半导体的特性和PN结的形成与特性掌握二极管、稳压管的特性重点难点PN结的形成与特性二极管的伏安特性教学过程一、半导体的导电特性1、光敏性、热敏性、可掺杂性2、本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。3、N型半导体结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子是多子4、P型半导体结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴是多子二、PN结的形成与特性1、形成过程2、特性:单向导电性三、二极管1、结构、外形、分类:(1)按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二

2、极管等。(2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。(3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。(4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。2、主要参数3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。4、二极管的伏安特性。5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电PN结具有单向导电性普通二极管电路的分析主要采用模型分析法稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似,均由PN结构成。但稳压二极管工作在反向击穿

3、区2优质文档电子技术参赛教案第3、4课时课题半导体三极管课型教学目的1、了解三极管的结构与特性;2、掌握三极管的类型和电流放大原理;3、理解三极管的特性曲线和主要参数。重点难点三极管的电流放大原理三极管的输入输出特性2优质文档电子技术参赛教案教学过程一、三极管的基本结构和类型   二、三极管在电路中的联接方式三、三极管的电流放大作用及原理三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。1)发射区向基区发射电子的过程2)电子在基区的扩散和复合过程3)电子被集电区收集的过程二、特性曲线和主要参数1、输入特性: iB=f(uBE)常数

4、  2、输出特性: iC=f(uCE)常数2优质文档电子技术参赛教案课后小结了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理;理解三极管的特性曲线和主要参数。3优质文档电子技术参赛教案第5、6课时课题共发射极放大电路课型教学目的1、了解电路的结构组成2、用图解法分析静态工作点和动态波形重点难点1、电流放大原理2、特性曲线5优质文档电子技术参赛教案教学过程一、三极管的基本结构和类型1、2、在电路中的联接方式二、极管的电流放大作用及原理三、特性曲线和主要参数1、输入特性IE=IC+IB2、输出特性IE=f(UBE)

5、UCE:常数IC=f(U

6、CE)

7、IB:常数3、主要参数一、电路组成及各元件作用二、图解法分析静态工作1、直线:IBRB=UCC-UBE直线:UCC=ICRC+UCEQ、三、动态波形分析课后小结了解共发射极放大电路的结构组成,及原理。熟练进行图解法分析放大器的静态工作点和动态波形。第 7、8课时课题共发射极放大电路的动态分析课型5优质文档电子技术参赛教案教学目的了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。重点难点微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数微变等效电路的画法教学过程一、三极管的微变等效电路:二、放大器的微变等效电路:课后小结掌握共发射极放大电路的

8、动态分析和交流动态参数的计算。三、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数=2.输入输出电5优质文档电子技术参赛教案6优质文档电子技术参赛教案第9、10课时课题放大器的偏置电路课型教学目的了解放大器静态工作点变化对放大器性能的影响;掌握放大器偏置电路的分析计算。重点难点放大器静态工作点变化对放大器性能的影响放大器偏置电路的分析计算6优质文档电子技术参赛教案教学过程一、静态工作点不稳定的原因静态工作点不稳定的原因较多,如温度变化、电源波动、元件老化而使参数发生变化等,其中最重要的原因是温度变化的影响。l、温度变化时对ICEO的影响一般情况,温度每升

9、高12℃,锗管ICEO数值增大一倍;温度每升高8℃时,硅管的ICEO数值增大一倍。  2、温度变化对发射结电压uBE影响在电源电压不变的情况下,温度升高后,使uBE减小,一般晶体管uBE的温度系数约为-2~2.5mv/℃。uBE减小,将使iB和iC增大,工作点上移。3、温度变化对的影响温度升高将使晶体管的值增大,温度每升高1℃,值约增加0.5%~1%,最大可增2%。反之,温度下降时值将减小。二、分压式偏置电路  1、电路结构             2、动态和静态分析 6优质文档电子技术参赛教案课后小结了解温度变化对静态工作点的影响熟练对分压

10、式偏置电路进行分析 7优质文档电子技术参赛教案第11、12课时课题常见的放大电路课型教学目的了解共集电极放大电路和共基极放大电路的组成、原理及分析计算。重点难点共集

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。