单晶硅片技术参数.doc

《单晶硅片技术参数.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、Specificationsfor125×125pseudsquareSisinglecrystalwafer125×125准方单晶硅片技术参数表Item（项目）Specification（规格）Unit（单位）Remarks（备注）Material（材料）Silicon（硅）CrystalGrowthMethod（晶体成长方法）CZ（直拉法）ConductivityType（传导率）Ptype（P型）Dopant（搀杂物）Boron（硼）CrystalOrientation（晶体取向）<100>±3Degree（度）Resistivity（电阻系数）0.

2、5~3Ω-cmLifeTime（少子寿命）≥10μSOxygenContents（氧含量）≤1x1018at/cm3CarbonContents（含碳量）≤5.0x1016at/cm3Diameter（直径）150±1mm附图直径BLength（长度）125x125±0.5mm附图边长AThickness（厚度）240±30μm四条方边宽度尺寸最大允许差值≤1.5mm附图边长CAngles（a,b,c,d）（四条边直角度）90°±0.3°Degree（度）Dislocation（位错密度）≤3000ea/cm2（个/cm2）TTV（总厚度变化）≤50μmB

3、ow（翘曲度）≤70μm损伤层深度（刀痕）≤15µmQualityofsurface（表面质量）1、硅片表面无通孔和裂纹（拉丝）现象；2、沿硅片径向长度小于1mm，宽度小于1mm，不超过硅片厚度1/3的崩边，在整片中不允许超过3个；3、表面无沾污异常斑点，无氧化。