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《单晶硅等效机械特性的实验研究(英文).pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第25卷第8期传感技术学报V01.25No.82012年8月CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORSAug.2012ExperimentalStudyontheEquivalentMechanicalPropertiesofSingleCrystalSiliconZHANGXu,Hao,XIA0Dingbang,HOUZhanqiang,WANGXinghua,WUXuezhong(CnUegeofMechanicalEngineeringandAutomation,NationalUniversityDeJknse
2、Technology,Changsha410073,Chin。)Abstract:SinglecrystalsiliconiswidelyusedintheMEMSdevices.Basedontheprinciple0fthee【】uivalentstiffness,singlemTstalsiliconissimplifiedasanisotropicmateria1.TheequivalentYoung’smodulusandthePoisson'sratiooftheslantedsiliconbeamwhichisfabricatedb
3、ymeansofanisotropicwetetchingaremeasuredusingafrequencyresponsetest.Atotalofeightgroupsofslantedbeamarefabricatedonthe(100)siliconwafer.Thewidthsofthebeamsrangefrom30Ixmto240matanintervalof301xm,whiletheratiosofthewidthtothethicknessrangefrom1/8~1atanintervalof1/8respectively
4、.ItisprovedthatthereisnocorrelationbetweentheequivalentYoung’smodulusandthedimensionsoftheanisotropicslantedbeam.However.theequivalentPoisson’srati0doesnot0n1vrelatetothecharacteristicsofthecrystalsilicon.butalsorelatetothedimensionsoftheslantedbeam.Basedontheexperimentalstud
5、y,theequivalentYoung’smodulusis170.51GPa~2.08GPa.TheequivalentPoisson’sratioisfittedwithpolynomialsinMatlab,andthepolynomialofdegree7coincideswiththemeasureddataexactly.Keywords:singlecrystalsilicon;equivalentYoung’smodulus;equivalentPoisson’sratio;siliconslantedbeam;resonant
6、frequencyresponsetestEEACC:7320Gdoi:10.3969/j.issn.1004—1699.2012.08.008单晶硅等效机械特性的实验研究:;:张旭,李浩,肖定邦,侯占强,王兴华,吴学忠(国防科学技术大学机电工程及自动化学院,长沙410073)摘要:单晶硅广泛应用于MEMS器件。根据等效刚度原理,单晶硅可以简化为各向同性材料。介绍了一种采用湿法腐蚀工艺加丁的倾斜硅梁,并利用频碍夏响应特性测试了其等效杨氏模量和等效泊松比采用(100)硅片制作了八组不同尺寸参数的倾斜硅梁。梁的宽度尺寸问隔为30lain,寸范用为30
7、m~240m,对应宽高比为1/8~1。实验结果证明了等效杨氏模量与倾斜梁尺寸无关,而等效泊松比不仅和单晶硅的特性相关,而且受倾斜梁尺寸的影响实验得到的等效杨氏模量为170.51GPa~2.08GPa对等效泊松比的测量结果在Matlab中进行了多项式拟合,7次拟合多项式已经与测试结果具有很好的一致性。关键词:单晶硅;等效杨氏模量;等效泊松比;倾斜硅梁;频率响应测试中图分类号:TP212文献标识码:A文章编号:1004—1699f2012)08—1059—05Singlecrystalsiliconisthemostcommonlyusedcoefi
8、cienttensorasa6x6matrix.Itcanbeverifiedthatmaterialinthemicroelectro
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