清洗工艺流程.doc

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1、硅片超声波清洗机结构特点：采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业????????采用第三代最新技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落最新全自动补液技术独特的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置及多工艺方式转换清洗工艺：上料→碱腐蚀→纯水漂洗→酸碱腐蚀→纯水漂洗→喷淋漂洗→酸中和→纯水漂洗→碱中和→纯水漂洗→烘干→下料?适用范围：各种规格的单晶硅、多晶硅太阳能电池硅片的制绒清洗XT-1300SG太阳能硅片制绒超声波清洗机■采用三套独立的电脑控制机械臂

2、自动化作业■采用第三代最新技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落■最新全自动补液技术■独特的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕■成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身■彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置及多工艺方式转换清洗工艺：上料→碱腐蚀→纯水漂洗→酸碱腐蚀→纯水漂洗→喷淋漂洗→酸中和→纯水漂洗→碱中和→纯水漂洗→烘干→下料清洗工件：各种规格的单晶硅、多晶硅太阳能电池硅片的制绒清洗清洗溶剂：水基清洗剂产品特点：单机械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。自动上下料台，准确上

3、卸工件。净化烘干槽，独特的烘干前处理技术，工作干燥无水渍。全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。具备抛动清洗功能，保证清洗均匀。全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。1）适合单晶硅片研磨、切割后的批量清洗，多晶硅片线剧切片后的大批量清洗。清洗工艺流程：自动上料→去离子水→超声波清洗→碱液超声波清洗→去离子水超声波清洗→碱液超声波清洗→去离子水超声波清洗→去离子水超声波清洗→去离子水超声波清洗→自动下料标准工艺下产量：硅片1000片/小时。（2）清洗工艺流程　　自动上料→去离子水＋超声波清洗＋振动筛抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→去离子水＋超

4、声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→去离子水＋超声波清洗＋抛动＋溢流→去离子水＋超声波清洗＋抛动＋溢流→自动下料【摘要】半导体/LED/LD硅片清洗加工设备，可广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。半导体/LED/LD硅片清洗加工设备，可广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且

5、不破坏晶片表面特性。用途炉前（RCA）清洗：扩散前清洗。光刻后清洗：除去光刻胶。氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。硅片清洗设备可用于完成扩散前、光刻后、CMP后及氧化前等工艺的清洗工作。例如：RCA清洗、SPM清洗、SC清

6、洗、金属离子及杂物去除清洗等。全自动硅片清洗机手动硅片清洗机附件及工具清洗设备石英管清洗机酸碱清洗台有机化学超净工作台部件清洗台氮气储存柜硅片清洗设备特点手动硅片清洗设备特点：可根据不同的清洗工艺配置各种相应的清洗功能槽。功能槽包括：加热酸缸、HF腐蚀、BHF（HF恒温缓冲腐蚀）、超声清洗槽、恒温水浴、QDR（快排冲水）、电炉等。清洗功能槽模块化，各部分有独立的控制单元，可随意组合。关键件采用进口部件，提高设备的可靠性及使用寿命。采用进口耐腐蚀PP板材，防酸、防腐，有效避免酸液的侵蚀。控制系统的元器件具备防腐、防潮功能，确保安全的工作环境。结

7、构紧凑，净化占地面积小，造型美观、实用。操作符合人机工程原理，具有良好的操作界面，使用方便、灵活。闭式清洗，有效改善工作环境，保障操作人员安全。全自动硅片清洗设备特点：进口伺服驱动机构及机械手臂，清洗过程中无需人工操作。通过PLC实现控制，全部操作通过触摸屏界面一次完成。可预先设制多条清洗工艺，可同时运行多条工艺。自动化程度高，适用于批量生产，确保清洗质量的一致性。自动氮气鼓泡装置可有效提高产品质量，缩短清洗时间。可选装层流净化系统及自动配酸装置。石英管清洗机适用工艺由于化学和物理作用，对石英管吸收层进行腐蚀清洗，并且通过石英管的旋转作用，使

8、石英管腐蚀层均匀，通过在水槽中的清洗，使石英管表层污物清洗干净。酸洗→排液→注纯水→溢流→注水→水洗→排液石英管清洗机特点采用浸泡、旋转式清洗；酸清洗为滚动浸泡式；