电光调制实验实验报告.doc

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1、广东第二师范学院学生实验报告院(系)名称物理系班别11物理本四B姓名专业名称物理教育学号实验课程名称近代物理实验(2)实验项目名称电光调制实验实验时间2014年12月18日实验地点物理楼五楼实验成绩指导老师签名内容包含:实验目的、实验使用仪器与材料、实验步骤、实验数据整理与归纳(数据、图表、计算等)、实验结果与分析、实验心得【实验目的】1.掌握晶体电光调制的原理和实验方法2.学会利用实验装置测量晶体的半波电压,计算晶体的电光系数3.观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象【实验仪器】铌酸锂晶体,

2、电光调制电源,半导体激光器,偏振器,四分之一波片,接收放大器,双踪示波器【实验内容及步骤】一、调整光路系统1.调节三角导轨底角螺丝,使其稳定于调节台上。在导轨上放置好半导体光源部分滑块,将小孔光栏置于导轨上,在整个导轨上拉动滑块,近场远场都保证整个光路基本处于一条直线,即使光束通过小孔。放上起偏振器,使其表面与激光束垂直,且使光束在元件中心穿过。再放上检偏器,使其表面也与激光束垂直,转动检偏器,使其与起偏器正交,即,使检偏器的主截面与起偏器的主截面垂直,这时光点消失,即所谓的消光状态。2.将铌酸锂晶体

3、置于导轨上,调节晶体使其x轴在铅直方向,使其通光表面垂直于激光束(这时晶体的光轴与入射方向平行,呈正入射),这时观察晶体前后表面查看光束是否在晶体中心,若没有,则精细调节晶体的二维调整架,保证使光束都通过晶体,且从晶体出来的反射像与半导体的出射光束重合。3.拿掉四分之一波片,在晶体盒前端插入毛玻璃片,检偏器后放上像屏。光强调到最大,此时晶体偏压为零。这时可观察到晶体的单轴锥光干涉图,即一个清楚的暗十字线,它将整个光场分成均匀的四瓣,如果不均匀可调节晶体上的调整架。如图四所示4.5旋转起偏器和检偏器,使

4、其两个相互平行,此时所出现的单轴锥光图与偏振片垂直时是互补的。如图五所示图四图五6.晶体加上偏压时呈现双轴锥光干涉图,说明单轴晶体在电场作用下变成双轴晶体,即电致双折射。如图六所示7.改变晶体所加偏压极性,锥光图旋转90度。如图七所示图六图七8只改变偏压大小时,干涉图形不旋转,只是双曲线分开的距离发生变化。这一现象说明,外加电场只改变感应主轴方向的主折射率的大小、折射率椭球旋转的角度和电场大小无关。二、依据晶体的透过率曲线(即T-V曲线),选择工作点。测出半波电压,算出电光系数,并和理论值比较。我们用

5、两种测量方法:1.极值法晶体上只加直流电压,不加交流信号,并把直流偏压从小到大逐渐改变时,示波器上可看到输出光强出现极小值和极大值。具体做法:取出毛玻璃,撤走白屏,接收器对准出光点,加在晶体上的电压从零开始,逐渐增大这时可看到示波器上光强极大和极小有一明显起落,直流偏压值由电源面板上的三位半数字表上读出。先测对应于V0>0时,当光强最大时,测一组最大值,然后改变极性,最大时再测一组数据,两个极大之间对应的电压之和就是半波电压的两倍,多次测量取平均值,可以减少误差。2.调制法晶体上直流电压和交流正弦信号

6、同时加上,当直流电压调到输出光强出现极小值或极大值对应时,输出的交流信号出现倍频失真,通过示波器可看出。出现相邻倍频失真对应的直流电压之差就是半波电压。5具体做法是:把电源前面板上的调制信号“输出”接到双踪示波器的y1上,经放大后的调制器的输出信号接到示波器的y2上,把y1,y2上的信号做比较,将检偏器旋转90度,当晶体上加的直流电压缓慢增加到半波电压时,输出出现倍频失真;改变晶体上电压的极性后,电压加到半波电压时,又出现倍频失真,相继两次出现倍频失真时对应的直流电压值之差就是半波电压。这种方法比极值

7、法更精确,因为用极值法测半波电压时,视觉很难准确的定位极大和极小值,因而误差较大。3.改变直流偏压,选择不同的工作点,观察正弦波电压的调制特性。电源面板上的信号选择琴键开关可以提供三种不同的调制信号,按下“正弦”键,机内单一频率的正弦波振荡器工作,此信号经放大后,加到晶体上。同时,通过面板上的“输出”孔,输出此信号,把它接到双踪示波器的y1上,作为参考信号。改变直流偏压,使调制器工作在不同的状态,把被调制信号经光电转换,放大后接到双踪示波器y2上,和y1上的参考信号比较。工作点选定在曲线的直线部分,即

8、附近时线性调制;工作点选在曲线的极小值(或极大值)附近时,输出信号“倍频”失真;工作点选定在极小值(或极大值)附近时输出信号失真,观察时调制信号幅度不能太大,否则调制信号本身失真,输出信号的失真无法判断有什么原因引起,把观察到的波形描下来,并和前面的理论分析做比较。做这步实验时把电源上的调制幅度、调制器上的输入光强、放大器的输出、示波器的增益(或衰减)这四部分调好,才能观察到很好的输出波形。4.用波片来改变工作点,观察输出特性。在上述实验中,去掉晶体上加

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