常用半导体分立器件详解ppt课件.ppt

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1、第四章常用半导体分立器件Diode,Transistor半导体的基本知识与PN结半导体二极管及其应用电路双极型三极管绝缘栅型场效应管30-七月-211对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。学会用工程观点分析问题,即根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一

2、定的误差、采用合理估算的方法。学习要求:30-七月-2124.1半导体的基本知识与PN结一、半导体的基本知识体积小、重量轻、寿命长、能耗低。1.半导体器件的特点2.物质的分类(按其导电能力的大小)导体如:金、银、铜、锡,电阻率,ρ<10-4cm绝缘体如:橡胶、陶瓷、塑料、木制品等ρ1012cm半导体如:锗、硅、砷化镓,一些硫化物和氧化物(导电性能介于导体与绝缘体之间,受温度、光照和掺杂程度影响极大。)10-3cm<ρ<109cm半导体(根据纯度的不同)可以分为本征半导体,杂质半导体30-七

3、月-213半导体器件是构成电子线路的基本元件,所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。在大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)中主要使用硅(Si)和砷化镓(GaAs)材料。第一代半导体材料以Si,Ge为代表;第二代半导体以GaAs,InP为代表;,第三代半导体:III族氮化物半导体材料(GaN)硅谷、集成电路SiliconvalleyIntegratedcircuit电子器件所用的半导体具有晶体结构,因此把半导体也称为晶体。30-七月-214+4+4+4+4+4+4+4+4+4纯净的

4、、具有晶体结构的半导体。3.本征半导体284+14Si28184+32Ge4个价电子将硅或锗材料提纯并形成单晶体后,便形成共价键结构。晶体结构共价键价电子:最外层原子轨道上的电子。+4惯性核4.1半导体的基本知识与PN结30-七月-215共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子(BondedElectron),束缚电子很难脱离共价键成为自由电子(Free~),因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。在绝对零度(即T=0)和无外

5、界激发时,硅和锗晶体中由于没有传导电流的导电粒子存在,所以不能导电。+4+4+4+4+4+4+4+4+430-七月-216本征激发-在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴(Hole)。因热运动产生自由电子空穴对的现象称本征激发(Excitation,又称热激发)。+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴4.1半导体的基本知识与PN结30-七月-217两种载流子:能够导电的电荷称为载流子(currentorchargecar

6、rier)。本征半导体中有数量相等的两种载流子:自由电子和空穴。空穴导电的实质是价电子依次填补空位的运动。+4+4+4+4+4+4+4+4+430-七月-218本征浓度复合—自由电子和空穴在热运动中相遇而释放能量,电子空穴成对消失。自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。注意:(1)在常温下,本征半导体中载流子浓度:Si:ni=pi=1.5×1010/cm3,Ge:ni=pi=2.5×1013/cm3,与原子密度(约为1022

7、/cm3量级)相比,是微不足道的(1/3.3×1012),故本征半导体的导电性很弱,不能直接用于制造半导体器件。(2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。4.1半导体的基本知识与PN结30-七月-219半导体的导电特性:(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、

8、光敏三极管等)。热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强30-七月-21104.杂质半导体(Impurity~)在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。即使得自由电子和空穴的数量差别极大,且其导电性能由杂质的类型和掺杂的数量支配,而不再取决于温度。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体(电子半导体),使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体(p-type~orP-se

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