材料分析方法课后答案.doc

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1、材料分析方法课后练习题参考答案2015-1-4BY：二专业の学渣材料科学与工程学院第一章X射线物理学基础3.讨论下列各组概念的关系答案之一(1）同一物质的吸收谱和发射谱；答：λk吸收〈λkβ发射〈λkα发射(2）X射线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。答：λkβ发射（靶）〈λk吸收(滤波片)〈λkα发射（靶）。任何材料对X射线的吸收都有一个Kα线和Kβ线。如Ni的吸收限为nm。也就是说它对波长及稍短波长的X射线有强烈的吸收。而对比稍长的X射线吸收很小。Cu靶X射线:Kα=Kβ=。(3）X射线管

2、靶材的发射谱与被照射试样的吸收谱。答：Z靶≤Z样品+1或Z靶>>Z样品X射线管靶材的发射谱稍大于被照射试样的吸收谱，或X射线管靶材的发射谱大大小于被照射试样的吸收谱。在进行衍射分析时，总希望试样对X射线应尽可能少被吸收，获得高的衍射强度和低的背底。答案之二1）同一物质的吸收谱和发射谱；答：当构成物质的分子或原子受到激发而发光，产生的光谱称为发射光谱，发射光谱的谱线与组成物质的元素及其外围电子的结构有关。吸收光谱是指光通过物质被吸收后的光谱，吸收光谱则决定于物质的化学结构，与分子中的双键有关。2）X射

3、线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。答：可以选择λK刚好位于辐射源的Kα和Kβ之间的金属薄片作为滤光片，放在X射线源和试样之间。这时滤光片对Kβ射线强烈吸收，而对Kα吸收却少。6、欲用Mo靶X射线管激发Cu的荧光X射线辐射，所需施加的最低管电压是多少激发出的荧光辐射的波长是多少答：eVk=hc/λVk=×10-34××108/×10-19××10-10)=(kv)λ0=v(nm)=(nm)=(nm)其中h为普郎克常数，其值等于×10-34e为电子电荷，等于×10-19c故需加的最低管电压应≥(

4、kv)，所发射的荧光辐射波长是纳米。7、名词解释：相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应答：⑴当χ射线通过物质时，物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动，受迫振动产生交变电磁场，其频率与入射线的频率相同，这种由于散射线与入射线的波长和频率一致，位相固定，在相同方向上各散射波符合相干条件，故称为相干散射。⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后，可以得到波长比入射χ射线长的χ射线，且波长随散射方向不同而改变，这种散射现象称为非相干散射。⑶一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一

5、个K电子，当外层电子来填充K空位时，将向外辐射K系χ射线，这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程，称荧光辐射。或二次荧光。⑷指χ射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量，如入射光子的能量必须等于或大于将K电子从无穷远移至K层时所作的功W，称此时的光子波长λ称为K系的吸收限。⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后，L层中一个电子跃入K层填补空位，此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体，这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应。第二章X射线衍射方向2、下面是某立方晶第

6、物质的几个晶面，试将它们的面间距从大到小按次序重新排列：（12ˉ3），（100），（200），（ˉ311），（121），（111），（ˉ210），（220），（130），（030），（2ˉ21），（110）。答：立方晶系中三个边长度相等设为a，则晶面间距为d=a/则它们的面间距从大小到按次序是：（100）、（110）、（111）、（200）、（210）、（121）、（220）、（221）、（030）、（130）、（311）、（123）。3.4、α-Fe属立方晶体，点阵参数a=。如用CrKαX射线（λ

7、=）照射，试求（110）、（200）及（211）可发生衍射的掠射角。答：立方晶系的晶面间距：=a/，布拉格方程：2dsinθ=λ，故掠射角θ=arcsin（λ/2）,由以上公式得：2d(110)sinθ1=λ，得θ1=°，同理θ2=°，θ3=°。第三章X射线衍射强度3、洛伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响其表达式是综合了哪几个方面考虑而得出的答：洛伦兹因数是表示几何条件对衍射强度的影响。洛伦兹因数综合了衍射积分强度，参加衍射的晶粒分数与单位弧长上的积分强度。4、多重性因数的物理意义是什么某立方第晶体

8、，其{100}的多重性因数是多少如该晶体转变为四方系，这个晶体的多重性因数会发生什么变化为什么答：（1）表示某晶面的等同晶面的数目。多重性因数越大，该晶面参加衍射的几率越大，相应衍射强度将增加。（2）其{100}的多重性因子是6；（3）如该晶体转变为四方晶系多重性因子是4；（4）这个晶面族的多重性因子会随对称性不同而改变。5．总结简单点阵、体心点阵和面心点阵衍射线的系统消光规律。答：简单点阵不存在系统消光，体心点阵衍射线的系统消光规律是(h+k+l)偶数时出现反射，(