模拟电子技术第4章双极型三极管及放大电路基础ppt课件.ppt

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1、☆☆第四章双极型三极管及放大电路基础4.1半导体三极管（BJT—双结晶体管）4.2共射极放大电路4.3放大电路分析方法4.4放大电路的稳定工作点问题4.5共集电极和共基极放大电路4.7放大电路的频率特性4.6组合放大电路第4章半导体三极管及放大电路基础按频率：高频管、低频管按功率：按材料：小、中、大功率管硅管、锗管按类型：NPN型、PNP型半导体三极管:是具有电流放大功能的元件三极管分类：§4.1半导体三极管（BJT—双结晶体管）4.1.1基本结构NNPNPN型becbecPNP型PPN基极发射极集电极beciBiEiCbeciBiEiCNPN型三极管符

2、号PNP型三极管符号发射极箭头表示：当发射结正偏时，电流的流向。发射极集电极基极集电极电流发射极电流基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结Je集电结JcbecNNP基极发射极集电极集电区：面积最大问题：c、e两极可否互换？BJT结构特点：•发射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图BJT结构剖面图：☆三极管的基本接法共集电极接法：c作为公共端；b为输入端，e为输出端；共基极接法：b作为公共端，e为输入端，c为输出端。共发射极接法：e作为公共端；b为输入端，

3、c为输出端；4.1.2BJT的电流分配和放大原理becNNPEBRBECRC在三极管内部：发射结正偏、集电结反偏PNP管发射结正偏VBVE（EB来实现）集电结反偏：VC>VB（EC来实现）即VC>VB>VE共射放大电路组成4.1.2BJT的电流分配与放大原理2.内部载流子的传输过程三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与

4、导电，故称为双极型三极管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。（以NPN为例）放大状态下BJT中载流子的传输过程集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子IE=IB+IC、为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般1，≈几十。3.三极管电流分配关系IE＝IC＋IB（3）（4）（2）（1）☆4.三极管的电流分配关系总结（5）电流放大系数发射极是输入回路、输出回路的公共端1.共发射极电路输入回路输出回路ICVBBmAAVCEVBERBIBVCC++––––++注意：T的类型与VBE、IB、V

5、CE、IC极性ebc4.1.3BJT的特性曲线vCE=0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCEiB=f(vBE)vCE=常数vCE=0VvCE1V(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。（以共射极放大电路为例）1.输入特性曲线(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。(3)输入特性曲线的三个部分①死区②非线性区③线性区结论：整体是非线性的，局部可看作是线性的2.输出特性IB=020A40A60A80A100

6、A36iC(mA)1234vCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区在放大区有iC=iB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。+-bceRLiB=020A40A60A80A100A36iC(mA)1234vCE(V)912O（2）截止区iB＝0以下区域为截止区，有iC=ICEO0。在截止区发射结Je处于反向偏置，集电结Jc处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。饱和区截止区（3）饱和区当vCEvBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IBIC，发射

7、结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管vCES0.3V，锗管vCES0.1V。VCES放大区：Je正偏，Jc反偏；IC=IB,且iC=iB；VC>VB>VE。(2)饱和区:Je正偏，Jc正偏；即vCEvBE，vCE0.3V；iC<iB。(3)截止区:Je反偏或零偏，VBEVb>Ve放大Vc

8、出各硅晶体管电极的电位，判断晶体管的状态。VBE=－0.7（V），Je正偏；VC