模拟电子技术总复习课件.ppt

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1、第一章半导体器件基本概念：本征半导体、杂质半导体（P型、N型）；自由电子与空穴、扩散与漂移，复合、PN结及其单向导电性主要特点：受温度影响大一、常用半导体器件例1P型半导体中，多数载流子是（）A.自由电子B.负离子C.空穴D.正离子C二、二极管阳极阴极+-uiOuU(BR)1.特性—单向导电正向电阻小(理想为0)，反向电阻大()。2.主要参数Uon开启电压UonU(BR)反向击穿电压IS反向饱和电流第一章半导体器件3.二极管的等效模型UUrd理想二极管例1二极管的正向电阻（），反向电阻（）。A.

2、小B.大AB例2利用二极管的()可组成整流电路及限幅电路。A.正向特性B.反向特性C.单向导电性C例3温度升高时，二极管的反向伏安特性会()。A.上升B.下移C.不变BP691.2、1.3、1.4电路中的二极管是否导通采用假设检验法[1.4]电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值二极管的动态电阻解：（1）静态分析令ui=0则流过二极管的直流电流ID＝（V－UD）/R＝2.6mA

3、（2）动态分析2V电压源相当于短路故流过的动态电流Id＝ui/rd≈1mArd≈UT/ID＝10Ω＝（V－UD）/R＝2.6mArd≈UT/ID＝10ΩuiIZIZMUZIZUZu>UZ时作用同二极管u增加到UZ时，稳压管击穿，反向导通，两端电压在一定范围内能保持不变(a)三、稳压管一种特殊的二极管例1稳压管必须工作在()状态下，才能够稳定电压。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿C[例2]稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA,负载电阻R

4、L=500Ω。（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？第一章半导体器件四、晶体三极管1.形式与结构NPNPNP三区、三极、两结2.特点基极电流控制集电极电流并实现放大放大条件内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大外因：发射结正偏、集电结反偏3.电流关系IE=IC+IBIC=βIBIE=(1+β)IB4.特性iC/mAuCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O369124321O0.4

5、0.8iB/AuBE/V60402080饱和区截止区放大区状态电流关系条件放大IC=βIB发射结正偏集电结反偏饱和ICβIB两个结正偏ICS=βIBS集电结零偏临界截止IB<0,IC=0两个结反偏三种工作状态的判断判断导通还是截止：UBE>Uon则导通以NPN为例：UBEUB>UE放大饱和2.电流判别法IB>IBS则饱和IBUE例1测得某NPN型的硅晶体管各电极对地的电压值为VC=6V，VB=4V，VE=3V

6、，则管子工作在（）。A.放大区B.饱和区C.截止区A1、基本概念放大、静态工作点、饱和失真、截止失真、直流通路、交流通路、直流负载线、交流负载线、性能指标、微变等效模型第二章基本放大电路bce+-+-ibic+uce-+ube-bce2、放大电路的组成原则组成原则、电路中各元件作用、为何以及如何设置合适的静态工作点、静态工作点对电路性能的影响、稳定静态工作点的措施3、放大电路的分析方法静态分析动态分析近似估算法图解法微变等效电路法图解法分析失真计算动态参数4、主要典型电路TRbRcVCC+ui-+

7、uo-iBiCiE+uCE-+uBE-C1+C2+共射极基本放大电路或基极偏置电路TRbRcVCCIB=VCC–UBERbICβIBUCE=VCC-RcICTRb+ui-RcRL+uo-Rb+ui-RcRL+uo-固定偏置电路分压式偏置放大电路+ui-T+uo-射极偏置电路TVB=Rb1+Rb2Rb1VCCIEVBReICUCE=VCC–RcIC–ReIEReRb1+-RcRL+-共集电极电路+ui-T+uo-+-TICIBIEbec+–+–+–场效应管放大电路icbceib+-ube+-u

8、ceebcrbeidds+-ugs+-udsggsdrgs+-低频跨导，西门子S5、派生电路两种接法组合的放大电路复合管放大电路构成原则、电流放大系数和输入电阻B例1BJT放大电路中为稳定静态工作点，应采用（）。A.共集电极放大电路B.分压式偏置电路C.功率放大电路D.固定偏置电路bec电流放大系数增大[例题]TRbRc+VCC+uo-+uo-C1+C1+uitouoto图所示放大电路中,若uo中交流成分出现图所示的失真中的哪个元件？如何调整？现象,问是截止失真还是饱和失真？为消除