B6-CMOS模拟集成电路重点ppt课件.ppt

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1、《模拟CMOS集成电路设计》重点回顾考试题型一、名词解释（每个2.5分，共10分）二、填空题（每个空2分，共30分）三、判断题（每个题2分，共10分）四、简答题（每小题10分，共20分）五、计算题（每小题15分，共30分）试卷满分100分MOS器件MOS器件特点：载流子导电，电压控制型器件MOS器件的源端和漏端在几何上是等效的。MOS器件的结构MOS器件WGatewidth；Ldrawn(L)Gatelength--layoutgatelength；LeffEffectivegatelength；LDS/Dsidediffusion；W/LAspectrati

2、o；S.D.G.BSource,Drain,Gate,Bulk(Body)MOS器件的结构MOS器件PMOS、NMOS器件剖面图PMOS、NMOS器件剖面图MOS器件是4端器件（D,G,S,B)NMOS，PMOS两种类型：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱衬底端电平使PN结反偏NMOS共享一个衬底端，PMOS有各自的衬底端。MOS器件阈值电压以NMOS为例：D和S接地①VG<0，空穴在硅表面积累0

3、定的负电荷强反型条件：栅极下硅表面反型层的载流子浓度=衬底掺杂浓度MOS器件阈值电压(NMOS,VDS=0.1V)MOS器件强反型条件：栅极下硅表面反型层的载流子浓度=衬底掺杂浓度理想的阈值电压：MOS器件栅氧化层中的电荷陷阱Qss为氧化层中有效正电荷密度Qss有可能使NMOS的Vth为负值，通过沟道离子注入可以提高Vth沟道离子注入注入P型杂质，使沟道内的P型杂质浓度上升，则：MOS器件沟道电荷随VDS变化MOS器件MOS器件图2.11三级管区漏电流与漏源电压的关系MOS器件②电流方程b.深三极管区图2.12深三极管区的线性工作MOS器件②电流方程饱和区VD

4、S>VGS-VTH沟道夹断，电流随VDS增加近似固定MOS器件电流源饱和区时，由于电流近似恒定，MOS构成电流源MOS器件MOS器件VDS与工作区MOS器件问题:一个nMOS管,偏置VGS>VT,漏级开路(ID=0),此晶体管是处于cutoff状态还是其他状态?为什么?MOS器件MOS器件MOS器件由上述比较来看,一个aspect为100,Vod=0.2V,ID=100μA的MOS管.跨导约为最小的npn管(1ma偏置)的1/40.重要结论:MOS模拟电路设计中,决定放大器增益的重要因素gm首先是取决于W/L值.(由2-17表达式)关于偏置电流ID对gm的影响

5、,由2-18式知gm∝(ID)1/2,调节ID对gm作用较小,且从放大器输出电阻来看,较高ID对增益不一定有利.MOS器件沟道长度调制效应MOS器件沟道长度调制效应MOS器件沟道长度调制效应MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件MOS器件单级放大器单级放大器四种基本类型共源放大器源跟随器共栅放大器共源共栅放大器单级放大器-共源放大器单级放大器-源跟随器源跟随器具有大的输入阻抗和中等的输出阻抗单机放大器-源跟随器单级放大器-共栅放大器单级放大器-共栅放大器单级放大器-共栅放大器单级放大器-共栅放大器单

6、级放大器-共栅放大器单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路单级放大器-共源共栅电路差动放大器差动放大器-差分信号的定义差动放大器-单端和差分工作的特点差动放大器-基本差动对的定性分析差动放大器-基本差动对的定量分析差动放大器-基本差动对的定量分析差动放大器-基本差动对的定量分析in差动放大器-MOS为负载的差动对差动放大器-MOS为负载的差动对有源和无源电流镜基本电流镜电流源，电流镜，有源、无源电流镜的基本概念共源共栅电流镜特点：输

7、出阻抗高，恒流性能好，但是占用更多的voltageheadroom有源电流镜有源和无源电流镜-有源电流镜有源和无源电流镜-有源电流镜放大器的频率特性密勒效应极点和节点的关联噪声噪声类型热噪声闪烁噪声反馈PropertiesofFeedbackCircuits增益去敏(GainDesensitization)，带宽改进(BandwidthModification)，端口阻抗改变(TerminalImpedenceModification)等.TypesofAmplifiers根据放大器输入和输出特性得不同，放大器可分为电压放大器，电流放大器，跨导放大器和跨阻放大

8、器。图8.2给出了这四种放大器的图示，