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时间：2020-10-29
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1、某硅突变PN结的NA=1.5×1014cm-3，ND=1.5×1018cm-3，试求室温下：1、平衡时的pp0、nn0、pn0和np0；2、外加0.2V正向电压时的pn(xn)和np(-xp)；3、内建电势Vbi。测验一测验二一、1、写出PN结正向扩散电流密度Jdn、Jdp的表达式。2、当NA>>ND时，Jdn与Jdp中以哪种电流密度为主？二、某突变结的雪崩击穿临界电场为EC=4.4×105V/cm，雪崩击穿电压为220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度xdB。答案一、1、2、当NA>>ND时，Jdn<2、中邻近发射区一侧的少子浓度nB(0)是该处平衡少子浓度nB0的多少倍。测验三答案求下图共发射极T形等效电路中与并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？测验四答案通常因，所以可忽略。测验五1、某N沟道MOSFET的VT=1V，β=10-3AV–2，试求当VGS=4V，而VDS分别为2V、3V、4V时的漏极电流之值。2、试求该MOS管当VDS=2V，VGS分别为2V、3V、4V时的漏极电流之值。答案1、4mA、4.5mA、4.5mA2、0.5mA、2mA、4mA
2、中邻近发射区一侧的少子浓度nB(0)是该处平衡少子浓度nB0的多少倍。测验三答案求下图共发射极T形等效电路中与并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？测验四答案通常因，所以可忽略。测验五1、某N沟道MOSFET的VT=1V，β=10-3AV–2，试求当VGS=4V，而VDS分别为2V、3V、4V时的漏极电流之值。2、试求该MOS管当VDS=2V，VGS分别为2V、3V、4V时的漏极电流之值。答案1、4mA、4.5mA、4.5mA2、0.5mA、2mA、4mA
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