2012材料科学基础复习题.doc

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1、一名词解释:1、调质处理:通常将淬火和随后的高温回火相结合的热处理工艺称为调质处理。2、马氏体:碳溶于α-Fe的过饱和的固溶体,是奥氏体通过无扩散型相变转变成的亚稳定相。3、季裂:普通黄铜的耐蚀性较好,与纯铜接近,但含锌量超过7%的冷变形黄铜件,在湿气、海水中或氨的作用下,易产生应力腐蚀,称为季裂。4、惯习现象:新相沿特定的晶向(惯习方向)在母相特定晶面(惯习面)上形成。5、冷脆:是指低碳钢随使用温度的降低,由微孔聚集的塑性断裂转变为脆性的解理断裂的现象。6、焊接性:是指在简单可行的焊接条件下,钢材焊接后不

2、产生裂纹,并获得良好的焊缝区的性能。7、二次淬火:某些高合金钢(如高速钢)中的残余奥氏体十分稳定,只有加热到500℃~600℃时才开始发生部分分解,使奥氏体稳定性下降,在随后快速冷却过程中转变为马氏体,使钢硬度有较大提高,这种现象称“二次淬火”。8、固溶处理:铝合金经高温加热急冷固溶处理后获得过饱和固溶体的热处理工艺。9、时效强化:过饱和固溶体随时间的延长而发生强度、硬度明显升高,塑性降低的现象。(自然时效;人工时效)10、过时效:时效温度过高,时效时间过长,将使合金软化,称为过时效。11、过冷奥氏体:奥氏

3、体冷至临界温度以下,处于热力学不稳定状态,经过一定孕育期后,才可转变。这种在临界点以下尚未转变的处于不稳定状态的奥氏体称为过冷奥氏体。12、魏氏组织:当加热温度过高并以较快速度冷却时,先共析铁素体或先共析渗碳体从奥氏体的晶界沿奥氏体一定晶面往晶内生长,呈针片状析出,连同其间的珠光体组织一起称为魏氏组织13、两相式分解:14、退火:是将组织偏离平衡状态的钢加热到工艺预定的某一温度,经保温后缓慢冷却下来(一般为随炉冷却或埋入石灰中),以获得接近平衡状态组织的热处理工艺。15、应变时效:构建用钢经冷塑性变形后,在

4、室温放置较长时间或少经加热后,其强度、硬度升高,塑性韧性下降,这种现象称为应变时效。16、离位析出:一种碳化物的析出是通过其它碳化物溶解并在其它地方重新形核、长大的方式形成,这种单独形核的方式称为离位析出。17、回火脆性:钢在回火时会产生回火脆性现象,即在250℃~400℃和450℃~650℃两个温度区间回火后,钢的冲击韧性明显下降(见图 9.19)。这种脆化现象称为回火脆性。二填空选择判断1、(1)影响再结晶因素:退火温度:温度越高,再结晶速度越大;变形量:变形量越大,再结晶温度越低;随变形量增大,再结晶

5、温度趋于稳定;变形量低于一定值,再结晶不能进行。原始晶粒尺寸:晶粒越小,驱动力越大;晶界越多,有利于形核。微量溶质元素。阻碍位错和晶界的运动,不利于再结晶。第二分散相:间距和直径都较大时,提高畸变能,并可作为形核核心,促进再结晶;直径和间距很小时,提高畸变能,但阻碍晶界迁移,阻碍再结晶。(2)影响再结晶温度因素:变形量越大,驱动力越大,再结晶温度越低;变形量越大,驱动力越大,再结晶温度越低;加热速度太低或太高,再结晶温度提高。1、回复再结晶驱动力:畸变能差晶粒长大方式:晶核向畸变晶粒扩展,直至新晶粒相互接触

6、。2、新相的形状:新相的形状是相变产生的总应变能和总表面能综合影响的结果,在体积相同条件下,新相成凸透镜状或针状时,应变能较低,界面能较高;新相呈球状,应变能较高。一般地,新相与母相形成共格或半共格界面时,应变能较高,如果新、旧相比体积差较大,新相通常呈凸透镜状或针状;若形成非共格界面,界面能较高,则新相通常呈球状。3、共析珠光体向奥氏体转变:珠光体向奥氏体转变符合一般的相变规律,是一个晶核的形成和晶核长大过程。共析珠光体向奥氏体转变包括奥氏体晶核的形成、晶核的长大、残余渗碳体溶解和奥氏体成分均匀化等四个阶

7、段。奥氏体形核条件:奥氏体晶核的形成条件是系统的能量、结构和成分起伏。4、影响马氏体形态的因素:钢的马氏体形态主要取决于钢的含碳量和马氏体的形成温度,而马氏体的形成温度又主要取决于奥氏体的化学成分,即碳和合金元素的含量。其中碳的影响最大。5、固态相变的特征基本规律:相变阻力大:界面能增加、额外弹性应变能:比体积差别、扩散困难(新、旧相化学成分不同时)固态相变较困难。6、碳当量:碳当量是将含硅量折合成相当的碳量与实际含碳量之和,即CE=wC%+1/3wSi%共晶度是指铸铁的含碳量与其共晶点含碳量的比值。在Fe

8、-C-Si相图中,共晶度随含硅量的变化而改变,即SC=wC%/(4.3%-1/3wSi%)7、钎焊对钎料的要求:钎料的熔点一定要低于母材钎料和母材液固态均能互溶钎焊特点:依靠钎料和母材之间的相互扩散形成牢固的金属连接。8、影响石墨化的因素:化学成分的影响:C、Si是促进石墨化的元素:C、Si含量过低,出现白口组织,力学性能和铸造性能变差;C、Si含量过高,石墨数量多且粗大,基体内铁素体量增多,降低铸件性能。因此C

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