南信大模拟电路期末试题.doc

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1、复习题二注意：1、先把书上知识点和做过的作业理解会做，然后再复习这部分内容。2、期中考试前发的样卷里有很多第十章直流稳压电源相关的题目。1、放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。A、直流电源所提供的电压、电流，B、电压、电流中不随输入信号变化的部分，C、电压、电流中随输入信号变化的部分，D、正弦交流输入、输出信号2、NPN和PNP型晶体管的区别取决于____A、半导体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同，C、掺杂浓度的不同，D、P区和N区的位置不同。N沟道和P沟道场效应管的区别在于____A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为N型，

2、后者为P型，C、导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。3、晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为____，流过集电结的主要是____。A、正向偏置，B、反向偏置，C、零偏置，D、扩散电流，E、漂移电流4、某硅二极管在正向电压时，正向电流。当增加10％（即增大到0.66V）时，则约为____。A、10mA，B、11mA，C、20mA，D、100mA5、已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？2．温度T1是大于25

3、℃还是小于25℃？6、两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明A的________________。输出电阻比B的________________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小7、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压比B的小，这说明A的________________。输出电阻比B的________________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小8、某

4、硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其交流负载线、静态工作点Q如图所示。设晶体管的UBE＝0.7V，UCES＝0.5V。1．确定的数值，画出直流负载线（要标出关键点的数值）；2．确定VCC和的值；3．在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？4．为了获得更大的不失真输出电压，应增大还是减小？9、放大电路和所使用的晶体管输出特性曲线如图所示，晶体管的UBEQ＝0.6V，电容的容量足够大。1．估算电路静态时的IBQ；2．图解确定电路静态时ICQ和UCEQ；3．图解确定此时的最大不失真输出电压幅值Uom；4．为获得尽可能大的不失真输出电压，应调整到多大？（设饱和电压

5、UCES＝0.5V）。10、已知图示电路中晶体管的＝150，，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。1．要求静态电压＝4V，估算Rb2的值。2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．当负载电阻RL开路时，求电压放大倍数。11、两级阻容耦合放大电路如图所示。设电容器对交流信号均可视为短路，试写出下列表达式：1．静态工作电流和电压：ICQ1，UCEQ1，ICQ2，UCEQ2；2．输入电阻Ri和输出电阻Ro；3．放大倍数，，，。12、单端输入、双端输出恒流源式的差分放大电路如图所示。设晶体管VT1、VT2特性相同，且b＝50，rbb’＝300W，UBE＝0

6、.7V，Rw的滑动端位于中点，输入电压UI＝0.02V。试估算：1．RL开路时的差模输出电压；2．接入RL＝10kW时的差模输出电压uOD。13、试判断图示两电路能否产生正弦波振荡，若能振荡，请写出振荡频率的近似表达式若不能振荡，请简述理由，设A均为理想集成运放。14、同相比例放大电路如图所示。设A为理想运算放大器。试求：1．当RW的滑动端位于中间位置时的电压放大倍数＝？2．当而调节RW时，输出电压的可调范围是多少？15、图示放大电路中，已知A1、A2为理想运算放大器，，。1．写出输出电压的表达式。2．若要求输入电阻，输出电压，问＝？＝？16、图示运算电路中，A1～A3均为

7、理想运算放大器。1．写出输出电压的表达式。当、时，求输出电压2．已知集成运算放大器A3允许的输入共模电压，其输出最大电压，电路的输入电压，。为使电路实现不失真的放大，问最大值是多少？17、电压-电流变换器如图所示，A1～A3为理想运算放大器。1．写出的表达式。若要实现变换量程为（0～5）V（4～20）mA，问电阻R＝？画变换特性＝f（）。2．若集成运放A3的最大输出电压，最大输出电流，问最大负载电阻18、图（a）所示电路中，A为理想运算放大器，其最大输出电压幅度为V；输入信号、的波形如图（b）所示。试画出输出电压的