基本放大电路ppt课件.ppt

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1、基本放大电路一、半导体二极管PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。PN二极管的电路符号：VD基本结构阳极A阴极K1、二极管的伏安特性曲线UI导通压降:硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V。死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压URB正向特性反向特性因此加到二极管两端的电压必须大于死区电压二极管才能导通二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)4、理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuouiuott5、二极管的应用举例1：二极管半波整流TSKJ1.稳压管的伏安特性UIIZIZmaxUZ

2、IZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。+-UZ二、硅稳压二极管稳压管工作在反相击穿区。正向特性和二极管相同。DZ例1分析简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。IR=IZ+ILUO=UI–IRR当UI波动时(RL不变)反之亦然当RL变化时（UI不变）反之亦然UIUORRLILIRIZ2、稳压二极管的应用举例（一）、半导体三极管的构造和工作原理BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型三、半导体三极管1、半导体三极管构造BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管半导体三极管的符号

3、VV三、半导体三极管半导体三极管的伏安特性曲线ICUCEUBEIB实验线路RBEBmAAVVEC1、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管小于0.5V，锗管小于0.1V。2、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。IC(mA)

4、1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：iC=iB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。深度饱和时uCES0.3V硅（0.1V锗)iCS≈VCC/RC(3)截止区：发射结反偏，集电结反偏UBE<死

5、区电压，iB=0，iC=iCEO0四、基本放大电路的组成单电源供电时常用的画法共发射极基本电路+UCCRSesRBRCC1C2T+++–RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE1.基本放大电路的组成2基本放大电路各元件作用晶体管T--放大元件,iC=iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。基极电源EB与基极电阻RB--使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。共发射极基本电路ECRSesRBEB

6、RCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE集电极电源EC--为电路提供能量。并保证集电结反偏。集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。耦合电容C1、C2--隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。信号源负载共发射极基本电路ECRSesRBEBRCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE3共射放大电路的电压放大作用UBEIBICUCE无输入信号(ui=0)时:uo=0uBE=UBEuCE=UCE+UCCRBRCC1C2T++u

7、i+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOICUCEOIBUBEO结论：(1)无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:IB、UBE和IC、UCE。(IB、UBE)和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。QIBUBEQUCEICUBEIB无输入信号(ui=0)时:uo=0uBE=UBEuCE=UCE？有输入信号(ui≠0)时uCE=UCC－iCRCuo0uBE=UBE+uiuCE=UCE+uoIC+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++

8、–uBEuCE–iCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO(2)加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。+集电极电流直流分量交流分量动态分析iCtOiC