电子技术课件备课讲稿.ppt

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1、电子技术课件电子元件图例上一页下一页二、电子技术的发展历史上一页下一页电子技术是在19世纪末叶无线电发明之后才发展起来的。1、第一代：电子管上一页下一页第一台电子计算机上一页下一页2、第二代：晶体管（1948年）体积小、重量轻、功耗小、寿命长里程碑3、第三代：集成电路（1958年）体积更小、重量更轻、功耗更小、可靠性高4、第四代：中、大规模集成电路（1966年）5、第五代：超大规模集成电路（1975年）<10000/片10000以上/片<100/片1958年，二人同时发明集成电路。1969年法庭将集成电路的发明专利授予了基尔比，而将关键的内部连接技术专利授予诺伊斯；前者于19

2、90年离世，后者于2000年获诺贝尔物理学奖。罗伯特•诺伊斯[RobertNoyce]戈登•摩尔[GordonMoore]安迪•格罗夫[AndyGrove]JackKilbyIntel集成电路之父罗伯特•诺伊斯[RobertNoyce]杰克•基尔比[JackKilby]RobertNoyce上一页下一页摩尔定律：IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。戈登•摩尔[GordonMoore]四、学习要求与参考书◆学时：32（讲课）+12（实验）◆学习要求：认真听讲、按时完成作业。作业于章节结束后的下次课课前交。◆考试要求：平时成绩占10%（7次作业

3、+3次课堂测验）◆教材、参考书：《电工学》（少学时）唐介主编《电工学学习指导与解题能力训练》唐介主编上一页下一页第8章直流稳压电源第8章直流稳压电源8.3直流稳压电源的组成8.4整流电路8.5滤波电路8.6稳压电路8.2半导体二极管8.1半导体的基础知识8.1半导体基础知识一、本征半导体——纯净的具有晶体结构的半导体特点：(1)载流子的数量少且成对出现(2)载流子的数量受温度影响较大，温度高数量就多(3)导电能力很差半导体有两种载流子：自由电子、空穴二、杂质半导体——掺入少量杂质的半导体(2)P型空穴＞自由电子（多数载流子）（少数载流子）(1)N型自由电子＞空穴（多数载流子）

4、（少数载流子）温度掺杂三、PN结1、PN结的形成扩散运动扩散运动：多数载流子由于浓度的差别而形成的运动。＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P区N区＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－内电场耗尽层势垒区PN结P区N区多数载流子的扩散运动继续进行，使PN结加宽，内电场增强。内电场越强，多数载流子的运动越难以进行。＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋P区N

5、区＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P区N区＋＋＋＋－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋漂移运动：少数载流子在内电场作用下的运动。漂移运动使PN结变薄，内电场削弱。内电场削弱，又有利于多数载流子的扩散运动，而不利于少数载流子的漂移运动。漂移运动多数载流子的扩散运动与少数载流子的漂移运动达到动态平衡——平衡的PN结。＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－P区N区RＰN2.PN结

6、的特性偏置正向偏置反向偏置ＰN多子运动少子运动正向导通主要特性：单向导电性R外电场外电场反向截止I≈0I8.2半导体二极管一、普通二极管按材料分硅管锗管按PN结分点接触型面接触型按用途分普通管整流管……PN阳极阴极1.基本结构KA2.伏安特性UIO正向：死区（OA段）硅管约0.5V，锗管约0.2V；正向导通区硅管约0.7V，锗管约0.3V。（温度增加，曲线左移）反向：截止区（OB段）I近似为0；击穿区管子被击穿（普通管：永久性损坏）A硅A锗BBUIOUDUIO(a)近似特性(b)理想特性因通常使用二极管时应保证其工作在正向导通或反向截止状态，故认为二极管正偏则导通，反偏则截止

7、。——单向导电性3.主要参数（选择二极管）(1)IF：额定正向平均电流(2)UF：正向电压降(3)UR：最高反向工作电压(4)IRm：最大反向电流4.二极管应用：UAUBUFRDADB+6VDA，DB为硅管，UA=3V，UB=0V：UF=?UF=0.7V——DB起钳位作用，DA起隔离作用D1、D2起限幅作用D1D2RuiuouoOωtu2Oωt1V0.3V－0.3V二*、光电二极管三*、发光二极管四*、光电耦合器8.3直流稳压电源的组成大小不合适的交流大小合适的交流~交流电源脉动直流不稳定的直流稳定直流