材料科学基础考试复习题 .doc

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1、单项选择题：1.高分子材料中的C-H化学键属于。（A）氢键（B）离子键（C）共价键2.属于物理键的是。（A）共价键（B）范德华力（C）离子键3.化学键中通过共用电子对形成的是。（A）共价键（B）离子键（C）金属键4.面心立方晶体的致密度为。（A）100%（B）68%（C）74%5.体心立方晶体的致密度为。（A）100%（B）68%（C）74%6.密排六方晶体的致密度为。（A）100%（B）68%（C）74%7.以下不具有多晶型性的金属是。（A）铜（B）锰（C）铁8.fcc、bcc、hcp三种单晶材料

2、中，形变时各向异性行为最显著的是。（A）fcc（B）bcc（C）hcp9.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。（A）氮（B）碳（C）硼10.面心立方晶体的孪晶面是。（A）{112}（B）{110}（C）{111}11.以下属于正常价化合物的是。（A）Mg2Pb（B）Cu5Sn（C）Fe3C12.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷13.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错1

3、4.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？（A）垂直（B）平行（C）交叉15.能进行攀移的位错必然是。（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错16.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孪晶铜（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金17.大角度晶界具有____________个自由度。（A）3（B）4（C）518.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随变化。（A）距离（B）时间（C）温度19.在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。（A）原子互换机制（B）间隙机制（C）空位机制20.固体中

4、原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是（A）间隙机制（B）空位机制（C）交换机制21.原子扩散的驱动力是。（4.2非授课内容）（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学势梯度（C）温度梯度22.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则。（A）A组元的扩散速率大于B组元（B）B组元的扩散速率大于A组元（C）A、B两组元的扩散速率相同1.下述有关自扩散的描述中正确的为。（A）自扩散系数由浓度梯度引起（B）自扩散又称为化学扩散（C）自扩散系数随温度升高而增加2.在弹性极限

5、se范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为（A）包申格效应（B）弹性后效（C）弹性滞后3.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向（B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向4.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。（A）bcc（B）fcc（C）hcp5.，位错滑移的派-纳力越小。（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大

6、（C）相邻位错的距离越大6.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：（A）溶质原子再扩散到位错周围（B）位错增殖的结果（C）位错密度降低的结果7.已知Cu的Tm=1083°C，则Cu的最低再结晶温度约为。（A）200°C（B）270°C（C）350°C8.已知Fe的Tm=1538°C，则Fe的最低再结晶温度约为。（A）350°C（B）450°C（C）550°C9.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。（A）回复（B）再结晶（C）晶粒长大10.形变后的材料再升温

7、时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在。（A）回复阶段（B）再结晶阶段（C）晶粒长大阶段11.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。（A）点缺陷的明显下降（B）形成亚晶界（C）位错重新运动和分布12.由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在___________部位不易形核。（A）大角度晶界和孪晶界（B）相界面（C）外表面13.纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核（A）小角度晶界（B）孪晶界（C）外表面14.对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制

8、为。（A）晶界合并（B）晶界迁移（C）晶界弓出15.再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着______________方向移动（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率中心垂直16.开始发生再结晶的标志是：（A）产生多变化（B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织（C）晶粒尺寸显著增大17.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化18.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。（A）复合强