模电课件第五章(2)电子教案.ppt

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1、模电课件第五章(2)RbRc+VCCuiT++uoC1RL+UBEQ+UCEQC2+_UBEQIBQICQ____5—1　频率响应概述不考虑C1、C2及晶体管结电容的影响C1、C2及结电容的存在5.1.1频率响应的基本概念ffLfH-270°-225°-180°-135o-90°与f无关1.频率响应的概念2.通频带通频带5.1.2频率失真uituituotuot基波二次谐波基波二次谐波Au1=10Au2=5幅频失真t相频失真(通频带不够宽)5.1.3RC低通和高通电路的频率响应1、高通电路CR+-+-则因此用幅值与相

2、角表示，得出幅频特性相频特性令回路的时间常数＝RC，0.70745°90°0°f0ffL由此可见，频率愈低，衰减愈大，相移愈大；1只有当信号频率远高于fL时，　才约为　。fL称为下限截止频率，简称下限频率。2、低通电路令回路的时间常数＝RC，CR+-+-则因此用幅值与相角表示，得出幅频特性相频特性00°ff-45°0.7071fH-90°由此可见，频率愈高，衰减愈大，衰减愈大，相移愈大；只有当信号频率远低于fH时，　才约为　。fH称为上限截止频率，简称上限频率。90°5.1.4波特图——频率特性的横轴采用对数

3、刻度lgf，幅频特性的纵轴采用表示，单位是分贝（dB）；相频特性的纵轴仍用表示。1、高通电路的波特图45°-30°0fffL10fL0.1fL2、低通电路的波特图-45°-90°-3fH0°f0f10fH0.1fH结论：（3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。（1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数。（2）当信号频率等于下限频率fL或上限频率或-45°相移。fH时，放大电路的增益下降3dB，且产生+45°+-+-+-rb’cCrbb'Crcebecb’5—2晶体管的高频等

4、效模型5.2.1晶体管的混合模型1、完整的混合模型crbb'b'rb'e're'c'e'rb’c'rc'beCb’c’(C)Cb'e’(C)+-+-+-Crbb'Cbecb’2、简化的混合模型+-+-+-rbb'Cbecb’+-+-+-rbb'C’becb’+-+-+-Crbb'Cbecb’3、混合模型的主要参数——从半导体器件手册中可查得。+-+-+-rbb'C’becb’（低频）+-+-+-rbb'becb’5.2.2晶体管电流放大倍数　的频率响应+-+-+-rbb'C’becb’+-

5、+-rbb'C’becb’0°-45°-90°f20lg０ff10f0.1ffT5—4　单管放大电路的频率响应5.4.1单管共射放大电路的频率响应1、中频电压放大倍数RbRc+VCCuIT+-+-uoRLC2Rsus+-C1+-+-+-rbb'C’becb’RbRcRLC2Rs+-C12、低频电压放大倍数+-Rc输出回路等效电路+-RLC+-Rc+-+-+-rbb'becb’RbRcRLC2Rs+-单管共射放大电路的低频等效电路C1一般，工程计算时，取fL1+-+-+-rbb'C’becb’RbRcR

6、LC2Rs+-C1和fL2较大者作为下限截止频率。rbb'+-+-+-C’becb’RbRcRLRs+-单管共射放大电路的高频等效电路3、高频电压放大倍数+-+-+-rbb'C’becb’RbRcRLC2Rs+-C1［例5.4.1]在图5.4.1(a)所示电路中,已知VCC=15V,Rs=1k,Rb=20kRc=RL=5k,C=5F；晶体管的UBEQ=0.7V，rbb’=100，=100,f=0.5MHz，Cob=5F。试估算电路的截止频率fH和fL，并画出的波特图。RbRc+VCCuIT+-+-

7、uoRLCRsus+-解：（1）求解Q点（2）求解混合模型中的参数（3）求解中频电压放大倍数+-+-+-rbb'C’becb’RbRcRLCRs+-（4）求解fH和fL因为Rs<

8、。因为，根据和可知，为减小　需减小，必须减小　及其回路电阻。可见，提高fH与的增大是相互矛盾的。而减小　　必然使　　　减小。fLfH单管共射放大电路的增益带宽积此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢