电力电子器件总结.doc

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1、电力电子器件总结：名称优缺点应用场合电力二极管整流二极管优：结构简单、工作可靠缺：不可控整流，续流，电压隔离、钳位或保护SBD(肖特基)FRD（快恢复SCR晶闸管可控硅FST(快速)优：承受电压和电流容量在所有器件中最高缺：半控TRIAC(双向)RCT（逆向）LTT（光控）电力MOSFET（单极型）(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)金属-氧化物-半导体-场效应晶体管优：开关速度快（利用电场感应控制反型层导电沟道，不存在正偏PN结所固有

2、的载流子存储效应），输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。缺：电流容量小，耐压低。一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置GTO(双极型)优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低兆瓦以上的大功率GTR（双极型）电力二极管优：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，

3、驱动电路复杂，存在二次击穿问题基本淘汰IGBT（混合型）绝缘栅门极晶体管（Insulated-GateBipolarTranslator）结合了GTR和MOSFET的优点优：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小缺：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO广泛应用，指望一统天下（主要兆瓦以下）几种不可替代的场合：lFRD（FastRecoveryDiode）在中、高频整流和逆变；lSBD(SchottkyBarrierDio

4、de)在低压高频整流；（开关速度非常快，开关损耗也特别小，耐压比较低）lLTT(LightTriggeredThyristor)高电压大功率；（光触发保证住电路与控制电路之间的绝缘和电气隔离，可以避免电磁干扰的影响）lGTO(Gate-Turn-OffThyristor)兆瓦以上的大功率。