电子俘获光存储技术.ppt

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1、电子俘获光存储技术姓名：唐靖学号：08093042班级：应物82随着计算机和信息产业的发展，越来越多的信息内容以数字化的形式存在、传输和保存。因此对大容量信息存储技术的研究就逐渐升温。激光技术的不断成熟，尤其是半导体激光器的成熟应用，使得光存储从最初的微缩照相发展成为快捷、方便、容量巨大的存储技术。与磁介质存储相比，光存储技术寿命长，非接触式读/写，信息的载噪比高而且容量大。但是也有传输速率低，重复擦写技术尚不成熟等缺点。但是电子俘获光存储材料的研究比较突出，在某此方面几乎达到了实用化。电子俘获是一种光激励发光

2、现象。光激励发光是指材料受到辐照时，产生的自由电子和空穴被俘获在晶体内部的陷阱中，从而将辐照能量存储起来，当受到光激励时（波长比辐照光长），这些电子和空穴脱离陷阱而复合发光。什么是电子俘获？电子俘获光存储写入与读出的简单原理电子俘获光储存原理电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料，主要有以下几种主要类型：1、MFX类型X光影像存储2碱土金属硫化物红外读出存储3碱金属卤化物紫外光存储MFX类型X光影像存储这是一种典型的X光影像存储材料，用做光存储时，写入使用X射线，读出光波长范围是400～700nm，读出

3、发光波长范围是380～400nm。碱土金属硫化物红外读出存储利用IIa～Vib化合物中某些杂质离子的电子在光的作用下被陷阱俘获和释放来实现可擦除光存储系统一般的材料有双稀土掺杂，也有单稀土离子掺杂的。这类材料的写入波长在绿光波段，读出光在近红外波段，读出发光在红光波段。因此具有很广阔的利用空间。碱金属卤化物紫外光存储写入波段是紫外，读出绿光波段，读出发光在蓝光波段。一般认为这类材料中电子陷阱是阴离子空位，发光中心是Eu离子。电子俘获材料以其写/读/擦速度快、存储密度高以及无限的读写循环寿命等优点,在光存储、光信

4、息处理等领域具有非常广阔的应用前景。电子俘获电子俘获光存储技术还有待继续的发展谢谢！