最新离子源的功能和分类知识讲解.doc

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1、离子源的功能和原理3、离子辅助镀膜的薄膜特性：1、镀层与工件表面同时存在物理气相沉积及化学反应，故镀层结合力高。2、膜层均匀致密、韧性好；3、光谱特性稳定，温漂小4、吸水性减少5、折射率升高6、粗糙度降低7、激光阈值降低8、膜层发雾，光散射增加4、离子源参数、性能比较离子源的功能和原理3、离子辅助镀膜的薄膜特性：1、镀层与工件表面同时存在物理气相沉积及化学反应，故镀层结合力高。2、膜层均匀致密、韧性好；3、光谱特性稳定，温漂小4、吸水性减少5、折射率升高6、粗糙度降低7、激光阈值降低8、膜层发雾，光散射增加4、离子源参数、性能比较离子源简介－考夫曼离子源 阴极钨丝加热发射热电子；电子与气

2、体原子或分子碰撞； 气体电离在放电室形成等离子体； 多孔栅极产生加速电场； 离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和钨丝产生电子； 磁场对电子运动进行约束，增加离化率； 中和电子对引出离子中和形成等离子体。 考夫曼离子源工作原理 （KaufmanIonSource） 离子源简介－考夫曼离子源 优点： 栅极加速能量大 离子可聚束能量调节范围宽结构较为简单 缺点： ×离子源结构仍复杂×馈入氧、氮等反应气体阴极中毒 ×更换阴极灯丝困难×不属主流，较少采用 离子源简介－射频离子源射频离子源工作原理 射频放电将气体电离 在放电室形成等离子体 多孔栅极产生加速电场；中和钨丝产生电子； 离子被加速电场

3、引出、加速、获得能量； 中和电子对引出离子中和形成等离子体。离子源简介－射频离子源特点 优点： 栅极加速能量大 离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助主流 缺点： ×结构复杂，稳定性差×价格昂贵×栅极需经常维护×辐照均匀区较小离子源简介－霍耳离子源 阴极钨丝发射热电子向阳极迁移电子与气体原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场 离子被霍耳电场加速引出、加速 阴极热电子对引出离子中和形成等离子体。 霍耳离子源工作原理 （HallIonSource） 离子源简介－霍耳离子源特点 优点： PowerIon-C-10A典型参数 离子束流：5A 离子能量：20-50eV 无栅极、结构

4、简单、维护简单 适用反应气体离子束辅助主流产品离子束流大易于控制等离子体中性以低能大束流工作 缺点： ×能量较低、调节范围较小×存在较小污染 离子源简介－Veeco霍耳离子源技术指标 离子源简介－PowerIon系列霍耳离子源技术指标 离子源简介－霍耳离子源 空心阴极型霍耳离子源 空心阴极替代灯丝发射热电子有效降低离子源污染 离子源简介－APS源工作原理 工作原理与霍耳离子源类似 La6B阴极发射热电子向阳极迁移(3) 电子与原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场(2) 离子被霍耳电流产生电场加速引出、加速 离子源简介－APS源特点 优点： APS源典型参数 离子束流：0.5mA

5、/cm2 离子能量：20-200eV 无栅极 离子束流大以低能大束流工作以其为核心开发多种机型离子束辅助主流产品 缺点： ×能量较低、调节范围较小×不适用反应气体×等离子体中性？ ×使用成本高×存在污染 射频rf离子源工作原理：射频放电将气体电离在放电室形成等离子体多孔栅极产生加速电场离子被加速电场引出、加速、获得能量中和钨丝产生电子中和电子对引出离子中和形成等离子体优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助效果明显缺点结构复杂价格昂贵栅极需经常维护辐照均匀区较小5、离子源价格：适合1m1镀膜机辅助镀膜的离子源价格考夫曼离子源16cm8万霍尔离子源H10（16cm

6、）5万-6万RF离子源160万肅常用操作系统介绍肂操作系统是一种特殊的用于控制计算机（硬件）的程序（软件）。它是计算机底层的系统软件，负责管理、调度、指挥计算机的软硬件资源使其协调工作，没有它，任何计算机都无法正常运行。它在资源使用者和资源之间充当中间人的角色，举个例子，一个用户（也可以是程序）将一个文件存盘，操作系统就会开始工作：管理磁盘空间的分配，将要保存的信息由内存写到磁盘等。当用户要运行一个程序时，操作系统必须先将程序载入内存，当程序执行时，操作系统会让程序使用CPU。袇在计算机的发展过程中，出现过许多不同的操作系统，其中最为常用的有：DOS、MacOS、Windows、Linu

7、x、FreeBSD、Unix/Xenix、OS/2等等，下面介绍常见的微机操作系统的发展过程和功能特点。蒅一、DOS操作系统（最原始是操作系统）膅从1981年问世至今，DOS经历了7次大的版本升级，从1.0版到现在的7.0腿版，不断地改进和完善。但是，DOS系统的单用户、单任务、字符界面和16位的大格局没有变化，因此它对于内存的管理也局限在640KB的范围内。DOS最初是微软公司为IBM-PC开发的操作系统，因此它对硬件平台的要求很