半导体物理与器件.ppt

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1、第五章载流子输运现象CarrierTransportPhenomena输运是指半导体中电子和空穴的净流动,这种流动将产生电流。漂移运动(Drift)是指由电场引起的载流子运动扩散运动(Diffusion)是指由浓度梯度引起的载流子运动半导体的温度梯度也能引起载流子运动,但由于半导体器件尺寸越来越小,这一效应可以忽略。5.1载流子的漂移运动5.1.1漂移电流密度净加速度—净位移漂移运动—漂移电流5.1.1漂移电流密度dp=pE在弱电场情况下,平均漂移速度与电场强度成正比,p为比例系数,称空穴

2、迁移率mobility,单位是cm2/V-sJpdrf=(ep)dp=(ep)pE空穴漂移电流密度电子漂移电流密度Jndrf=(-en)dndn=-nEJndrf=(-en)(-nE)=(en)nEJdrf=e(nn+pp)E5.1.2迁移率mobility平均碰撞时间τcp5.1.2迁移率散射方式:晶格散射LatticeScattering(声子Phonon散射)、电离杂质散射IonizedImpurityScattering、谷间散射、中性原子散射、位错散射等晶格散射

3、电离杂质散射硅5.1.3电导率(Conductivity)S/cm对本征半导体对P型半导体对n型半导体5.1.4饱和速度VelocitySaturationT=300K时,随机热运动的平均能量dn=-nE5.2载流子扩散5.2.1扩散电流密度5.2.1扩散电流密度5.2.2总电流密度一维情况推广到三维情况5.3杂质梯度分布GradedImpurityDistribution5.3.1感生电场InducedElectricField准电中性5.3.2爱因斯坦关系非均匀掺杂半导体中,在没有外加电

4、场下,电子电流和空穴电流分别等于零准电中性爱因斯坦关系5.4霍尔效应HallEffect5.4霍尔效应HallEffect磁场力与感生电场力相等时,达到稳定状态霍尔系数对于空穴可测量空穴浓度5.4霍尔效应对于电子可测量电子浓度可测量电子迁移率可测量空穴迁移率作业P1315.9P1335.24

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