半导体公式说课讲解.doc

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1、精品好文档，推荐学习交流第一章：仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6精品好文档，推荐学习交流第二章：第三章：共基极直流电流放大系数为集电极电流与发射极电流之比基极运输系数发射结注入效率发射结复合系数，，均匀：仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6精品好文档，推荐学习交流为共发射极直流电流放大系数为基区渡越时间，为基区少数载流子的寿命，为中性基区宽度，分别为发射区和基区杂质浓度。和分别为发射区和基区的电阻率，和分别为发射区和基区的方块电阻为基区少数载流子浓度缓变：基区自建电场为梯度因子第四章：结型场效应晶体管：

2、夹断电压：，夹断时所需要加的栅源电压Vp=Vbi-VP0。Vbi为结的接触电势差。Vbi=沟道电导：G0=2qμn（a-x0）Z/L即：VDS=VDsat称为饱和漏源电压VDsat=VP0-（Vbi-VGS）绝缘栅场效应晶体管MOS结构：零偏导条件下：φms=φm-φs=φm-（X-Eg/2q+φf）=0仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6精品好文档，推荐学习交流φm为金属功函数φs为半导体功函数X为半导体的电子亲和势费米势φf=（Es-EFs）/qP型φf>0;N型φf<0.电荷面密度Qs=εε0Es耗尽区宽度达

3、到最大值氧化层压降Vox=-Qs/CoxCox=εox/toxεox=εrε0Cox为氧化层单位面积电容εox为栅氧化层介电常量tox为氧化层厚度强反型时的表面势力φsi2=2φfp1.理想MOSFET的阈值电压：n沟道阈值电压Qd=-qNAXdmax2.金属半导体功函数差对VT的影响3.氧化层及界面电荷对VT的影响ID=β[(VGS-VT)•VDS-V2DS/2)β=WμnCox/LVDS=VDsat=VGS-VT饱和漏源电流=(VGS-VT)2跨导：gm=β（VGS-VT）平行四边形的性质说课稿一、教材分析1、地位和作

4、用仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6精品好文档，推荐学习交流这是人教版第19章第1节第一课，平行四边形的性质是平行线和三角形知识的应用和深化，是学习矩形、菱形、正方形的必备知识，是证明线段相等、角相等的重要依据.本课主要探究平行四边形对边相等且平行、对角相等这一性质.我以复习旧知识引入新课，来激发兴趣；对例题进行改编，融问题与兴趣于一体，来应用数学；设置动手操作活动，让学生在教师的指导下自主探究学习，从而感受数学.2、教学重难点：重点：平行四边形的性质，对边相等且平行、对角相等．难点：理解并应用平行四边形的性质．

5、3、教学目标知识与技能目标：1．平行四边形的概念．2．平行四边形的性质．　　过程与方法目标：1．经历探索平行四边形有关概念和性质的过程，使学生理解平行四边形的概念和性质．2．探索平行四边形的对边相等、对角相等的性质并能掌握应用它解决问题．情感态度与价值观目标：在进行探索的活动中培养学生合作交流的意识与合情的推理能力．二、教学方法1、采用指导探究法进行教学，主要通过二个师生双边活动：①动——师生互动，共同探索。②导——知识类比，合理引导等突出学生主体地位，让教师成为学生学习的组织者、引导者、合作者，让学生亲自动手、动脑、动口

6、参与数学活动，经历问题的发生、发展和解决过程，在解决问题的过程中完成教学目标。2、八年级学生几何学习正处在试验几何向论证几何的过渡阶段，对于严密的推理论证，无论从知识结构，还是知识能力上都有所欠缺.因此我采用“创设情境—大胆猜想—实验探究—反思评价”的课堂活动模式，努力营造自主、合作、探究的学习氛围，利用多媒体辅助教学，生动、直观地反映问题情境，使学生在学习中获得愉快的数学体验.仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6精品好文档，推荐学习交流3、利用板书辅助教学，突破教学重难点，扩大学生知识面，使每个学生稳步提高。三、

7、学法指导仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6