晶闸管(可控硅) 阻容吸收元件的选择说课讲解.doc

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1、精品好文档，推荐学习交流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。　　我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。　　在

2、晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。　　为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电

3、感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。　　由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢3精品好文档，推荐学习交流二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择　　电容的选择:　　C=(2.5-5)×10的负8次方×If　　If=0.367Id　　Id-直流电流值　　如果整流侧采

4、用500A的晶闸管(可控硅)　　可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF　　选用2.5mF，1kv的电容器　　电阻的选择：　　R=((2-4)×535)/If=2.14-8.56　　选择10欧　　PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2　　Pfv=2u(1.5-2.0)　　u=三相电压的有效值If----正向电流PR----电阻功率PfV---额定功率fc---不是符号！是f*c，就是频率*容值！阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法4

5、00~630V。大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅和阻尼吸收列入大功率范畴。仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢3精品好文档，推荐学习交流《人的认识从何而来》公开课教案★新课标要求（一）知识目标1、识记实践的含义、构成要素、特点。2、理解实践是认识的基础。（二）能力目标培养学生科学的实践观，以及运

6、用马克思主义认识论原理分析和解决问题的能力。（三）情感、态度与价值观目标培养学生实践第一的观点，一切知识来源于实践，一切知识都要服务于实践。★教学重点、难点实践是认识的基础。★教学方法教师启发、引导，学生自主阅读、思考，讨论、交流学习成果。★教学过程（一）引入新课老者观点：不会耕田，怎么下田。农夫观点：不让下田，怎会耕田？你赞同谁的观点，者说明了什么？——认识从实践中来（二）进行新课一、实践及其特点教师活动：实践的含义是什么？学生活动：阅读课本，回答问题。1、实践的含义实践是人们改造客观世界的一切物质性活动。它有两层基本的含义：其一，凡是实践，都是以人为主体、以客观事物为对象的物质性活动

7、。其二，实践是一种直接现实性活动，它可以把人们头脑中的观念的存在变为现实的存在。练习：判断：下列哪些属于实践活动？2、教师总结：实践的三种基本形式有生产实践、社会实践、科学实验。合作探究一仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢3