模拟电子技术基础第四版期末复习资料.docx

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1、资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。该复习资料,不一定适用于本校,但有比没有要好。第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少

2、子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*转型---经过改变掺杂浓度,一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。7.PN结资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。*正向导通压降------硅管0.7V,锗管0.

3、2V。*开启电压------硅管0.5V,锗管0.1V。分析方法----------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V若V阳>V阳

4、点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件)ICiCIBiBICEO(1)ICBO其中ICEO是穿透电流(越小越好),ICBO是集电极反向电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。*输出特性曲线(饱和管压降,用UCES表示)放大区---发射结正偏

5、,集电结反偏。饱和区---发射结正偏,集电结正偏截止区---发射结反偏,集电结反偏。根据电位如何判断管子是否处于放大状态:对NPN管而言,放大时VC＞VB＞VE对PNP管而言,放大时VC＜VB＜VE4.温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高I、ICEO、I以及β均增加。CBOC5.三极管的极限参数ICM最大集电极电流PCM最大的集电极耗散功率U(BR)CEOC-E间的击穿电压三.低频小信号等效模型资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。hie---输出端交流短路时的输入电阻,常见rbe表示;hfe

6、---输出端交流短路时的正向电流传输比,常见β表示;微变等效模型用于分析晶体管在小信号输入时的动态情况,不能用于静态分析。四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点*直流uCEVCCiCRc由负载线---确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。交流负载

7、1)改变Rc:Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。2)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的直线。3.静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。*消除方法---提高Q。(2)饱和失真