小议沉淀的生成及溶解和转变.doc

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1、小议沉淀的生成及溶解和转变无机化合物在水中的溶解度差别很大,在化工生产中,通常利用物质溶解度的差别,把一种物质从溶液中沉淀析出;或把沉淀溶解;或者把一种沉淀转化为另一种沉淀,从而达到制备、提纯以及分析鉴定的目的。但在什么条件下能生成沉淀?什么条件下沉淀溶解?什么条件下使一种沉淀转化为另一种沉淀?要解决这些问题必须研究沉淀的生成和溶解之间的关系。下面以氯化银沉淀生成为例来探究沉淀的生成和溶解之间的关系:例:将NaCl溶液加入到AgNO3中,当生成的AgCl的量超过它的溶解度时,就会有AgCl的白色沉淀

2、生成;在出现AgCl的白色沉淀时也就出现了AgCl的溶解过程。由于AgCl是一种微溶电解质,具有离子晶格,Ag+与Cl-依靠静电相互吸引而结合在一起,当AgCl的沉淀从溶液中析出后,由于其晶体表面的Ag+与Cl-受极性水分子的吸引,减弱了它们之间的吸引力。又由于离子的不断振动,Ag+和Cl-成为水合离子,脱离晶体表面而进入溶液中,此过程即为沉淀的溶解。另一方面,溶液中的水合Ag+和水合Cl-在不停的运动,在运动过程中碰到了AgCl晶体,受到晶体上带相反电荷离子的吸引,重新沉淀到晶体表面。因此,在沉淀

3、反应发生后,生成的沉淀并不是静止不动的,而是在不停地运动着,进行着沉淀的生成和溶解。如果,在单位时间内,Ag+与Cl-从晶体表面转入到溶液中的量与它们从溶液中沉淀到AgCl晶体表面的量相等时,即:AgCl溶解的速度(V1)和生成沉淀的速度(V2)相等时,达到沉淀溶解平衡,可用下式表示:AgCl≒≒Ag++Cl-↗↖未溶的固体在溶液中的离子速度(V1)与AgCl晶体表面上的Ag+和Cl-的数目成正比,AgCl晶体单位面积上的这些离子数目可以认为是一个定值,不随时间而改变。因此,当温度不变时溶解的速度(

4、V1)可以当作常数值(K1),即:V1=K14速度(V2)为单位时间内Ag+和Cl-沉淀到晶体表面上的量,这一数值取决于单位时间内Ag+和Cl-与晶体表面的碰撞次数,而碰撞在一定温度下与离子的浓度成正比,于是:V2=K2[Ag+][Cl-]↗↖比例常数平衡浓度在平衡时:V1=V2所以:K1=K2[Ag+][Cl-]KSP=K1/K2=[Ag+][Cl-]=1.56×10-10温度恒定时,KSP为一常数,称为溶度积,它表示物质的溶解能力,每个难溶物都有它特有的溶度积。分析上述关系式可知:改变溶液的离子

5、浓度对沉淀平衡有影响。例如:在饱和溶液中加入NaCl时,由于Cl-的浓度增加,使[Ag+][Cl-]﹥1.56×10-10,破坏了原来的平衡,使平衡向生成AgCl沉淀的方向移动,直到[Ag+][Cl-]=1.56×10-10为止。当在含有AgCl沉淀的饱和溶液中,设法降低Ag+的浓度使[Ag+][Cl-]﹤1.56×10-10,就会引起AgCl沉淀的溶解,直到[Ag+][Cl-]=1.56×10-10为止。由此,我们可以得出以下结论:1、当溶液中KSP=[Ag+][Cl-]时,溶液是饱和溶液,不会有

6、沉淀析出;2、当溶液中KSP﹤[Ag+][Cl-]时,溶液是过饱和溶液,此时体系不平衡,有AgCl沉淀析出,然后随着反应的进行逐渐建立一个新的平衡体系,使KSP=[Ag+][Cl-];3、当溶液中KSP﹥[Ag+][Cl-]时,溶液是不饱和溶液,若加入固体AgCl时,固体就会溶解,直到溶液中[Ag+][Cl-]=KSP为止。因此,在实际应用中,我们可以根据溶度积来预测在给定条件下沉淀能否生成或溶解,可以根据改变离子的浓度来创造沉淀的生成或溶解的条件,也可以用于选择合适的沉淀剂,以达到分离和沉淀完全的

7、目的。根据以上分析可以得到结论,要使沉淀溶解可以采取以下几种方法:41、生成弱电解质。例如,要溶解Mg(OH)2,在其饱和溶液中加入少量的酸,则H+与溶液中的OH-结合生成弱电解质水,使溶液中OH-离子浓度降低,反应向沉淀溶解的方向进行,反应式为:(Mg(OH)2→Mg2++2OH-)+(HCl=Cl-+H+)↓↑H2O这时:[Mg2+][OH-]2﹤Ksp溶液处于不饱和状态,于是平衡向沉淀溶解的方向移动,直至[Mg2+][OH-]2=Ksp为止。2、盐的作用。一些溶度积不太小的难溶于水的氢氧化物,

8、如上述的氢氧化镁,也可加强酸的铵盐使沉淀溶解,反应式如下:(Mg(OH)2→Mg2++2OH-)+(NH4Cl=Cl-+NH4+)↓↑2NH3.H2O由于氢氧化镁中的OH-与NH4Cl电离生成的NH4+结合生成弱电解质氨水,使溶液中OH-离子浓度降低,于是溶液向沉淀溶解的方向移动,使Mg(OH)2进一步溶解。3、氧化还原作用。加入氧化剂或还原剂来改变离子的价数,使某一离子发生氧化还原反应,从而降低离子的浓度,使沉淀溶解。例如,CuS溶于HNO3:3CuS+8H++2N

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