CVD生长二硫化钼常见问题.pptx

《CVD生长二硫化钼常见问题.pptx》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、CVD生长二硫化钼常见问题一、设备真空度及气密性问题，具体表现在本体真空过高或者关闭真空阀门以后压升率过高。由于过渡族金属硫化物极易氧化成为金属氧化物，同时钼的高价氧化物相对于低价氧化物更易挥发。所以很容易理解，当设备真空性能有问题或者气路漏气时，系统氧气含量将会超标，衬底表面会残留大量的钼的混合价态氧化物（俗称钼蓝），严重的甚至完全无法生长出二硫化钼。问题的原因可能有很多常见的有以下几点：1.密封胶圈老化或者损伤2.法兰安装不恰当，密封圈受力不均导致向一侧偏斜3.石英管与密封胶圈接触面损伤4.波纹管疲劳

2、或者腐蚀穿孔5.真空泵故障或未经过预抽真空和充分洗气6.气瓶与减压阀处漏气7.进行APCVD（常压）时从炉管排出的尾气未经过油阱液封，直排大气。误认为此时通过预抽真空和惰性气体洗气就不会有氧气进入炉管内。但是，实际由于炉内气体与炉外空气的氧气水蒸气浓度存在巨大梯度，水和氧气能逆着尾气流动方向扩散进入炉管。8.LPCVD（低压）生长二硫化钼时，真空泵组未加装真空粉尘过滤器和冷阱，导致具有粘性的硫粉尘被吸入真空泵内，将真空泵卡死。钼的混合价态氧化物的典型组成，结构和颜色钼的混合价态氧化物的典型形貌之一二．硫蒸

3、汽引入问题1.不使用硫粉预热器加热硫粉，靠主炉体温区热辐射加热或者将硫粉放置于多温区炉第一个温区，由于主炉体热辐射或者第二温区热辐射影响导致硫粉温度和蒸发时机不可控。2.硫粉预热器与主炉体直接存在较大间隙导致硫蒸气在此处温度降低冷凝，此时硫的实际等效蒸发温度为此冷凝区域的温度。3.测温点与硫舟实际温度相差过大。由于硫蒸发温度常常控制在200℃以下，同时管内通气带走热量，再加上硫粉预热器测温热电偶通常处于炉管外部，部分厂家使用的K型热电偶的负极,在150～200℃范围内要发生磁性转变,致使在室温至230℃范

4、围测温精度和重复性不佳。4.硫蒸汽挥发过早或过迟。硫蒸汽过早与三氧化钼接触会导致表面被完全硫化生成二硫化钼外壳，内部的三氧化钼难以挥发甚至完全无法挥发。过迟则会导致衬底表面蒸发上过量的氧化钼。5.硫粉量过少，蒸发后期液态硫表面积缩小，导致硫蒸气流量变小6.硫蒸发温度过高或者气流量过大，导致气相成核生成类似富勒烯状二硫化钼（IF-MoS2）的密集颗粒。硫化不足导致形成圆形或者六边形形貌典型的自制硫粉预热器建议使用内测控温热电偶的硫粉预热器谢谢观看！