最新3.4快离子导体教学讲义PPT.ppt

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1、3.4快离子导体Eg价带导带一些离子晶体：如NaClAgClMgO禁带宽度较大，这类离子晶体常温下是绝缘的，不能导电。但当一些条件改变时，这些离子晶体也能导电。3.4.1经典离子类载流子导电离子晶体的离子电导主要有两类：第一类，固有离子电导（本征电导），源于晶体点阵的基本离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。（高温下显著）第二类，杂质电导，由固定较弱的离子运动造成的。（较低温度下杂质电导显著）载流子为离子或离子空位的电导——离子电导离子电导的微观机构:载流子(离子)的扩散。离子的扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。离子导电性：离子类载流子电场作用下，通过材料的长距离迁移。本

2、征离子电导率的一般表达式为：B1——W/kW1——本征电导活化能缺陷形成能E迁移能UN1——单位体积内离子结点数2杂质电导作为载流子的离子由杂质缺陷引起OOAlOAlOmgAlOAlOVTiTiOOVMgMgO422222..'2''.3232++¾¾®¾++¾¾®¾新的载流子杂质电导：由杂质提供载流子而形成的电导N2——杂质离子浓度杂质离子电导率的一般表达式为：B2——W/kW2——电导活化能一般情况：（1）杂质离子浓度远小于晶格格点数N2W2（3）低温下离子晶体的电导率主要为杂质电导，高温下本征电导会占主体。本征电导率杂质电导率经典的

3、离子晶体由于离子扩散可以形成导电。一般来说，这些晶体的导电率要低得多，如NaCl:室温时,σ=10-15S·cm-1,在200℃时,σ=10-8S·cm-1。3.4.2快离子导体导电快离子导体：而另有一类离子晶体，在室温下电导率可以达到10-2S·cm-1，几乎可与熔盐的电导相似。我们将这类具有优良离子导电能力的材料称做快离子导体或固体电解质，也有称作超离子导体。快离子导体的电导率公式也服从：经典晶体的活化能W在1～2ev,快离子导体的活化能W在0.5ev以下。快离子导体肖特基弗仑克尔快离子导体不论是从电导，还是从结构上看，都可以视为普通离子固体和离子液体之间的一种过渡状态：电解质溶液或

4、熔融电解质快离子导体普通离子固体溶解或熔融相变类似导电性1总结：快离子导体的宏观特点快离子导体（固体电解质）既保持固态特点，又具有熔融强电解质或电解质水溶液相比拟的离子电导率。结构特点不同于正常态的离子固体，介于正常态与熔融态的中间相。良好的快离子导体应具有非常低的电子电导率2快离子导体的微观结构特点如：经典离子晶体：NaClAgClβ-AgI载流子浓度n=～1018/cm3快离子导体：а-AgI载流子浓度n=～1022/cm3快离子导体载流子浓度比一般离子晶体大了1000倍。快离子导体中的载流子主要是离子，电导活化能低，在固体中可流动的数量相当大。快离子导体往往不是某一组成的某一材料，

5、而是指某一特定的相。如：AgIаβγ-AgI三个相，仅а-AgI是快离子导体典型的快离子导体由两种晶格组成。半径较大的离子形成刚性晶格，离子占据固定位置。半径较小的离子占据在刚性亚晶格的某些间隙位置，间隙位大于离子数，这种离子可以随机分布在间隙位上，称运动离子。半径较小离子形成的亚晶格又被称为液态亚晶格。а-AgI晶体结构I-体心立方堆积,占据8个顶点和体心位置一个晶胞中含2个I-Ag+可以占据I-形成的八面体空隙6个面心12个棱中心一个晶胞中含6个可占据位可以占据I-形成的四面体空隙6个面上，每个面4个位一个晶胞中含12个可占据位可以占据2个I-四面体共同形成三角双锥空隙一个晶胞中含2

6、4个可占据位а-AgI中，每个晶胞中Ag+有42个位置可占据，实际每个晶胞中仅有2个Ag+这些空隙位形成了可供导电Ag+迁移的通道网，导电率很大。正常固体熔化时，正、负离子均转化为无序状态，电导率增加。快离子导体中的导电离子，具有高的的迁移率，类似于液体的无序状态。正常离子晶体快离子导体，相变过程就是导电相由有序到无序的转变过程。相变快离子导体的晶格中包含能量近似相等，而数量远比传导离子数目多的间隙位。传导离子的间隙位之间势垒不能太高，传导离子在间隙位之间可以比较容易跃迁。这些空位应彼此互相连接，间隙位的分布应取共面多面体，构成一个立体网络结构，可拥有贯穿晶格始末的离子通道的传输离子。总

7、结快离子导体的形成原因：晶体中的非导电离子形成刚性骨架，晶格内部存在多于导电离子数的可占据位置，这些位置互相连通，形成一维隧道型、二维平面型或三维传导型的离子扩散通道，导电离子在通道中可以自由移动。晶格导电通道3根据载流子的类型，可将快离子导体分类正离子作载流子的有：Ag+导体、Cu2+导体、Na+导体、Li+导体以及H+导体；负离子作载流子的有：O2-导体和F-导体等。传导离子结构类型示例O2-离子萤石型ZrO2基固溶体，ThO2