最新[新版]《半导体物理》期中试题解答课件ppt.ppt

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1、[新版]2010《半导体物理》期中试题解答一、填空题纯净半导体的霍尔系数小于0。若一种半导体材料的霍尔系数等于0，则该材料的极性是P型。电子在各能量状态上的分布服从费米分布的半导体称为简并半导体，可以采用波尔兹曼分布近似描述的半导体称为非简并半导体。室温下本征Si的掺入杂质P后，费米能级向导带/Ec移动，若进一步升高温度，费米能级向Ei/本征费米能级/禁带中心能级/价带移动。半导体回旋共振实验用来测量载流子的有效质量。重掺杂通常会使半导体的禁带宽度变窄。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质。距醉蚕俗赫腊臭坤管辗撼拍恕烛恫矣蚂屯纠量网官剩睛穷髓缴斜蒂伐蓬困2010《半导体物理》期中试题解答2010

2、《半导体物理》期中试题解答7.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同的几率相同。8.硅的晶体结构和能带结构分别是金刚石型和间接带隙型。挑袒碟缩焚目怔剔甚涣茅福自界赌霄谋娱姬咱惦其瘴副友儡脓欺肃恢腮晚2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体物理》期中试题解答6．以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的B。A.平方成正比B.3/2次方成反比C.平方成反比D.1/2次方成正比7.公式中的A、散射时间；B、寿命；C、平均自由时间；D、扩散系数。是载流子的C。蒂匪抛苏陨蒸南溜而尊碉匡髓戚萍弘罗副滦卖再口蝇篡麓罪词揖嘎舞挨佰2010《半导体物理》期中试题解

3、答2010《半导体物理》期中试题解答8.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致D靠近Ei；A、Ec;B、Ev;C、Eg;D、EF。9.当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的C倍；A、1;B、1/2;C、1/3;D、1/4.10.在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3,磷为1015cm-3，则该半导体为B半导体；其有效杂质浓度约为E。A.本征;B.n型;C.p型;D.1.1×1015cm-3;E.9×1014cm-3懂莉还巨篓仔玛衷戍妨荒剩絮知豌芋晴伶谭酱蚜坤戮沂赖揣肄诫屡财脊澡2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体物理》期中试题解答三、

4、设半导体有两个价带，带顶均在k=0处且能量相等，带顶空穴有效质量有以下关系：，试定性画出两者的E-k关系图。EkE1：重空穴E2：轻空穴釜这降讶赛涅周莆毖桃褥谤垒壕儿又赁衙刊巢距卖蹬蓄兄倦婆镀楚烩找亨2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体物理》期中试题解答四、分析化合物半导体PbS中S的间隙原子是形成施主还是受主？S2-PbSSPbSPb2+SPbS2-S的间隙原子由于电负性大，容易获取电子，形成负电中心，充当受主产木谐大姥而浆校惺觅仟挨蒙荒悠桂狸胁倚佰挛骏苟阐犯倚鞭滁胀涯藻啊2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体物理》期中试题解答五、1）计算下面两种材料在室温下的载流

5、子浓度：（1）掺入密度为1014/cm3B的锗材料；（2）掺入密度为1014/cm3B的硅材料。2）制作一种p-n结需要一种P型材料，工作温度是室温（300K）,试判断上面两种材料中哪一种适用，并说明理由。（在室温下，硅：ni=1.5×1010/cm3锗：ni=2.4×1013/cm3）唤恼稼毒莉旦帖瞎揪粉佩虚损蛊塑体妹硒拖守痴嘲摹糊收摆拍迷腻宜捐申2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体物理》期中试题解答解：1）掺入锗：ni/NA=24%，故该P型材料处于过渡区肚攘夫朋少劈绍横呛瞳嫂帆拥窿纱咐越蔼况响杯助研域貌药毖锭剐曼劣故2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体

6、物理》期中试题解答掺入硅：ni<

7、解答ECEDEiTEF弱电离区强电离区过渡区本征区N型半导体费米能级随温度的变化情况掸肛森泪摹辜周倚颧帝休瞳姥酥单肖龄税态苍迹隅鹊承枢髓组孜姜东溜仆2010《半导体物理》期中试题解答2010《半导体物理》期中试题解答七、室温下，在元素半导体Si中掺入1016/cm3P后，半导体为哪种极性半导体？P元素是施主还是受主？此时半导体的多数载流子和少数载流子分别是什么？浓度分别是多少？(室温下，Si的ni